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Caracterização elétrica e simulação tridimensional de nanofios transistores MOS

Processo: 16/06301-0
Linha de fomento:Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Doutorado
Vigência (Início): 05 de setembro de 2016
Vigência (Término): 04 de setembro de 2017
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
Pesquisador responsável:Marcelo Antonio Pavanello
Beneficiário:Bruna Cardoso Paz
Supervisor no Exterior: Casse Mikael
Instituição-sede: Campus de São Bernardo do Campo. Centro Universitário da FEI (UNIFEI). Fundação Educacional Inaciana Padre Sabóia de Medeiros (FEI). São Bernardo do Campo , SP, Brasil
Local de pesquisa : Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), França  
Vinculado à bolsa:15/10491-7 - Caracterização elétrica e simulação tridimensional de nanofios transistores MOS, BP.DR
Assunto(s):Nanoeletrônica   Medidas elétricas

Resumo

Este projeto tem por objetivo sustentar a cooperação internacional entre o grupo de pesquisa coordenado pelo Prof. Dr. Marcelo Antonio Pavanello, do Departamento de Engenharia Elétrica do Centro Universitário da FEI, situado em São Bernardo do Campo, Brasil, e o grupo de pesquisa coordenado pelo Dr. Gilles Reimbold e pelo Dr. Mikaël Cassé, do Laboratoire d'électronique et de techonologie de I'information (Leti), situado em Grenoble, França. Enquanto o Leti é um dos poucos centros de pesquisa no mundo capaz de fabricar dispositivos extremamente avançados, como nanofios MOSFETs, o grupo de pesquisa do Prof. Dr. Pavanello é o primeiro e único no Brasil estudando estes transistores, através do trabalho da Srta. Paz.O principal foco do projeto é a caracterização elétrica e a simulação tridimensional dos nanofios MOSFETs implementados em tecnologia de silício sobre isolante. O projeto será conduzido pela Sra. Paz como parte da sua tese de doutorado na FEI, com estadia de 12 meses no Leti. Durante sua estadia, Sra. Paz trabalhará com nanofios MOSFETS considerando transistores com e sem tensão mecânica, silício puro e ligas de silício-germânio e diversos dimensões de comprimento e largura de canal. A operação criogênica em temperatura de 4k também será explorada neste projeto.A estadia no Leti será de grande interesse para este trabalho de doutorado, considerando que haverá a possibilidade de realizar estudos experimentais em um dos principais candidatos para os próximos nós tecnológicos, o qual só pode ser encontrado em avançados centros de pesquisa como o Leti. (AU)

Publicações científicas
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
PAZ, BRUNA CARDOSO; CASSE, MIKAEL; BARRAUD, SYLVAIN; REIMBOLD, GILLES; VINET, MAUD; FAYNOT, OLIVIER; PAVANELLO, MARCELO ANTONIO. Electrical characterization of vertically stacked p-FET SOI nanowires. Solid-State Electronics, v. 141, p. 84-91, MAR 2018. Citações Web of Science: 3.

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