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Transistores de contato de eletrólito baseado em filmes de WO3

Processo: 16/09033-7
Linha de fomento:Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Doutorado
Vigência (Início): 01 de setembro de 2016
Vigência (Término): 31 de agosto de 2017
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Materiais Não-metálicos
Pesquisador responsável:Marcelo Ornaghi Orlandi
Beneficiário:Martin Schwellberger Barbosa
Supervisor no Exterior: Clara Santato
Instituição-sede: Instituto de Química (IQ). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Araraquara. Araraquara , SP, Brasil
Local de pesquisa : École Polytechnique de Montréal, Canadá  
Vinculado à bolsa:14/27079-9 - Transistores de contato por eletrólito baseado em filmes finos de WO3: influência da morfologia e estrutura dos filmes na performance dos dispositivos, BP.DR

Resumo

O grande objetivo desse projeto é explorar e aplicar a tecnologia da modulação de dispositivos por meio de contato de eletrólitos, através do estudo da influência das propriedades físico-químicas dos materiais e design em transistores de filme finos. Transistores são dispositivos eletrônicos que são capazes de modular e amplificar sinais de corrente elétrica. Entre as muitas estratégias possíveis para o aprimoramento dos transistores, existe um interesse em soluções que acarretem na diminuição do consumo energético. Nesse sentido, a modulação por contato de eletrólito (baseada em soluções iônicas, líquidos iônicos ou gel iônicos) é uma abordagem muito promissora devido à alta capacitância e baixa resistência de contato que pode ser obtida. Especificamente, o projeto propõe estudar a influência da morfologia de materiais nanoestruturados derivados do trióxido de tungstênio (WO3) no desempenho de transistores de eletrólito que utilizam esses materiais como canal do dispositivo. Esse projeto está planejado para ser executado sob a co-supervisão do professor Dr. Marcelo Ornaghi Orlandi (IQ-UNESP) e a professora doutora Clara Santato (Polytechnique Montreal) em que parte das atividades do doutorado ( síntese e caracterização dos materiais por microscopia eletrônica) estão sendo executadas no Brasil e parte está proposta para acontecer no Canada (fabricação dos dispositivos), para combinar de maneira sinergética o conhecimento e infraestrutura dos dois grupos para a obtenção de resultados de alto impacto.

Publicações científicas
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
DE OLIVEIRA SILVAL, GABRIEL VINICIUS; SUBRAMANIAN, ARUNPRABAHARAN; MENG, XIANG; ZHANG, SHIMING; BARBOSA, MARTIN S.; BALOUKAS, BILL; CHARTRAND, DANIEL; GONZALES, JUAN C.; ORLANDI, MARCELO ORNAGHI; SOAVI, FRANCESCA; CICOIRA, FABIO; SANTATO, CLARA. Tungsten oxide ion-gated phototransistors using ionic liquid and aqueous gating media. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, v. 52, n. 30 JUL 24 2019. Citações Web of Science: 0.
BARBOSA, M. S.; OLIVEIRA, F. M. B.; MENG, X.; SOAVI, F.; SANTATO, C.; ORLANDI, M. O. Tungsten oxide ion gel-gated transistors: how structural and electrochemical properties affect the doping mechanism. JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, v. 6, n. 8, p. 1980-1987, FEB 28 2018. Citações Web of Science: 3.

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