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Estudo do comportamento de nanodispositivos avançados operando em diferentes temperaturas

Processo: 16/08715-7
Linha de fomento:Bolsas no Exterior - Pesquisa
Vigência (Início): 13 de junho de 2016
Vigência (Término): 24 de junho de 2016
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas, Instrumentação
Pesquisador responsável:Paula Ghedini Der Agopian
Beneficiário:Paula Ghedini Der Agopian
Anfitrião: Cor Claeys
Instituição-sede: Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus Experimental São João da Boa Vista. São João da Boa Vista , SP, Brasil
Local de pesquisa : IMEC Belgium, Bélgica  
Assunto(s):Microeletrônica

Resumo

Com a contínua redução dos dispositivos, a tecnologia CMOS de fabricação, que atualmente atingiu escalas nanométricas, tem se deparado com problemas como os efeitos de canal curto. Como alternativa a esta tecnologia, as indústrias têm substituído a tecnologia CMOS convencional pela tecnologia de silício sobre isolante (SOI) e estruturas de múltiplas portas (MuGFETs). No entanto, para dimensões abaixo de 22nm mesmo esta tecnologia tem chegado ao limite de seu escalamento. Devido ao limite deste escalamento, novas alternativas têm sido estudadas para substituir a tecnologia MOS. Dentre estas alternativas pode-se citar o transistor de efeito de campo induzido por tunelamento (TFET), que é um dispositivo baseado em silício e compatível com a tecnologia MOS, porém com princípio de funcionamento diferente. Nestes dispositivos a corrente é constituída pelo tunelamento de portadores entre bandas, o que torna possível a redução bastante significativa da corrente de desligamento (IOFF) e também uma inclinação de sublimiar abaixo do limite teórico (60mV/dec) à temperatura ambiente. Esse trabalho visa estudar estas novas estruturas, MuGFETs e TFETs, de dimensões nanométricas, que tem sido as alternativas apontadas pela comunidade científica como promissoras para a substituição de dispositivos MOS convencionais. No caso dos transistores de múltiplas portas, esta melhoria é devida ao melhor controle das cargas do canal e consequentemente menor efeito de canal curto, enquanto os transistores de tunelamento apresentam alta velocidade de chaveamento e menor potência dissipada.