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Na busca de novos isolantes topológicos

Processo: 16/12021-0
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
Vigência (Início): 01 de novembro de 2016
Vigência (Término): 31 de janeiro de 2018
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Adalberto Fazzio
Beneficiário:Jimena Anahí Olmos Asar
Instituição-sede: Centro de Ciências Naturais e Humanas (CCNH). Universidade Federal do ABC (UFABC). Ministério da Educação (Brasil). Santo André , SP, Brasil
Assunto(s):Isolantes topológicos   Teoria do funcional da densidade   Efeito Hall quântico   Big data

Resumo

O efeito hall de spin quântico (QSHE) tem se convertido numa área muito interessante da Física da Matéria Condensada, devido ao fato que poderia mudar os paradigmas da nanoelectrônica. A corrente elétrica predita pelo QSHE poderia fluir sem dissipação. Além das potenciais aplicações em tecnologia, o efeito tem disparado uma área completamente nova de pesquisa, chamada isolantes topológicos. Muitos desses materiais tem sido preditos por simulações computacionais, antes de serem sintetizados experimentalmente, demonstrando a importância dos cálculos teóricos nesta nova área. No presente projeto pretendemos estudar, através de métodos de primeiros princípios, as propriedades de bandas de distintos materiais 2D e 3D, com o objetivo de detectar possíveis novos isolantes topológicos. Desejamos também encontrar descritores para algumas das propriedades destes materiais, para uma possível sistematização na busca dentro do projeto big-data. (AU)

Publicações científicas
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
ANAHI OLMOS-ASAR, JIMENA; LEAO, CEDRIC ROCHA; FAZZIO, ADALBERTO. Band gap tuning of layered III-Te materials. Journal of Applied Physics, v. 124, n. 4 JUL 28 2018. Citações Web of Science: 1.
OLMOS-ASAR, JIMENA A.; LEAO, CEDRIC ROCHA; FAZZIO, ADALBERTO. Novel III-Te-graphene van der Waals heterojunctions for optoelectronic devices. RSC ADVANCES, v. 7, n. 51, p. 32383-32390, 2017. Citações Web of Science: 4.

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