Fabricação de Lasers com Espelhos Seletivos a base de microrresonadores acoplados em Plataforma III-V/Si Heterogeneamente Integrada

• Processo: 16/23451-6
• Linha de fomento: Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Doutorado
• Vigência (Início): 04 de setembro de 2017
• Vigência (Término): 03 de setembro de 2018
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Newton Cesario Frateschi
• Beneficiário: Guilherme Fornias Machado de Rezende
• Supervisor no Exterior: Gunther Roelkens
• Instituição-sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Local de pesquisa: Ghent University (UGent), Bélgica
• Vinculado à bolsa: 16/03714-2 - Microrressonadores Ativos Acoplados em Plataforma Híbrida Si/III-V, BP.DR
• Assunto(s): Fotônica

Resumo

Propomos um projeto de um ano para a fabricação e caracterização de lasers semicondutores com espelhos seletivos em comprimento de onda a base de microrresonadores em anel acoplados e numa plataforma heterogeneamente integrada de InP(InGaAsP)/SOI em colaboração com o Prof. Dr. Ir. Gunther Roelkens(University of Ghent, Bélgica). Todos os guias de Si e cavidades óticas serão fabricadas na IMEC (Bélgica) com wafers de 400nm de SOI, com corrosão de 180 nm para definição de guias de onda rib por litografia padrão de 193 nm e pós-processados pelo candidato no Photonics Research Group da Ghent University. O pós-processamento consiste em: 1) um bonding (colagem) adesivo de amostras InP (região ativa de poços quânticos de InGaAsP) com DVS-BCB espalhado por spinner e cuja espessura controlada por diluição, sobre guias de SOI e 2) uma litografia para formação de guias ridge no III-V. Dr. Roelkens é um pioneiro nesta técnica com mais de uma década de experiência em integração heterogênea de III-V em Si.