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Estudo comparativo da performance de transistores MOSFETs convencionais e transistores SOI MOSFETs na tecnologia de 130nm

Processo: 16/25362-0
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
Vigência (Início): 01 de maio de 2017
Vigência (Término): 30 de abril de 2019
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Telecomunicações
Pesquisador responsável:Paula Ghedini Der Agopian
Beneficiário:Carlos Augusto Zan Malaguti
Instituição-sede: Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus Experimental São João da Boa Vista. São João da Boa Vista , SP, Brasil
Assunto(s):Transistores   Microeletrônica   Simulação numérica

Resumo

Com a redução dos dispositivos a dimensões nanométricas, o controle dos efeitos de canal curto em transistores MOSFETs convencionais têm se tornado cada vez mais difícil. Os transistores MOS fabricados em tecnologia SOI constituem uma das mais importantes áreas de estudo na atualidade, devido às excelentes melhoras no desempenho desses dispositivos, maior imunidade aos efeitos de canal curto e maior velocidade de chaveamento. Neste projeto pretende-se estudar o comportamento dos transistores SOI MOSFETs por meio de comparação com a tecnologia MOSFET convencional. Este projeto de iniciação científica será baseado tanto em medidas experimentais de transistores da tecnologia 130nm quanto em simulações numéricas dos dispositivos. Os simuladores de dispositivos têm tido um papel fundamental para este tipo de estudo uma vez que nos permite entender melhor a física dos dispositivos através da análise de parâmetros internos dos mesmos. (AU)