| Processo: | 16/20808-0 |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado |
| Data de Início da vigência: | 01 de julho de 2017 |
| Data de Término da vigência: | 04 de fevereiro de 2023 |
| Área de conhecimento: | Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Materiais Não-metálicos |
| Acordo de Cooperação: | Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES) |
| Pesquisador responsável: | Marcelo Ornaghi Orlandi |
| Beneficiário: | Pedro Henrique Suman |
| Instituição Sede: | Instituto de Química (IQ). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Araraquara. Araraquara , SP, Brasil |
| Vinculado ao auxílio: | 13/07296-2 - CDMF - Centro de Desenvolvimento de Materiais Funcionais, AP.CEPID |
| Bolsa(s) vinculada(s): | 19/26333-2 - Investigação da performance como sensores de gás de dispositivos FET em operação: modelando os mecanismos de condução em nanoestruturas 1D de óxidos metálicos semicondutores por técnicas operando, BE.EP.PD |
| Assunto(s): | Semicondutores Sensores de gases |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Dispositivos FET | junção p-n | Nanoestruturas 1D | semicondutores | Sensores de gás | Transitores | Semicondutores nanoestruturados |
Resumo Neste projeto de pesquisa, um estudo detalhado sobre o desempenho como sensor de gás de transistores de efeito de campo (FET) baseados em nanoestruturas semicondutoras 1D é proposto. Para isso, nanoestruturas com diferentes estequiometrias do óxido de estanho (SnO2, SnO e Sn3O4) e óxido de cobre (CuO e Cu2O) serão utilizadas como canais/elementos sensor, a fim de compreender a influência da modulação do sinal elétrico nas suas respostas como sensor de gás. Os materiais serão sintetizados pelo método de redução carbotérmica e caracterizados por difração de raios-X (DRX), microscopia eletrônica de varredura de alta resolução (MEV) e de transmissão (MET), microscopia de força atômica (AFM) e espectroscopia de fotoelétrons de raios-X (XPS). Deposições por sputtering e microscopia de duplo feixe (feixe de íons focado, FIB) serão utilizados para montar os dispositivos FET compostos apenas por (a) um canal n, (b) um canal p e (c) um canal p-n (formado pela interseção de duas nanoestruturas cruzadas). Medidas convencionais de transistores serão realizadas a fim testar a eficiência da montagem e determinar importantes parâmetros elétricos. A resposta sensora de gás dos dispositivos FET serão analisadas após exposição à baixas concentrações (no intervalo de ppm) de gases oxidante e a redutores em diferentes temperaturas de operação. O grande desafio deste trabalho será construir e caracterizar um dispositivo FET/sensor de gás "3-em-1" com um design especial que permite estudar simultaneamente as propriedades sensoras de cada canal (canal p, canal n, e canal p-n) independentemente, em um único dispositivo. O foco será entender como otimizar o desempenho dos sensores que, se bem sucedido, poderá permitir o desenvolvimento de dispositivos sensores de gás de alto desempenho com grande potencial para futuras aplicações tecnológicas no campo da nanotecnologia. (AU) | |
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