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Deposição de heteroestruturas de SnO2 eTiO2 com dopagem de lantanídeos trivalentes, na forma de filmes finos

Processo: 17/16435-7
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
Vigência (Início): 01 de outubro de 2017
Vigência (Término): 31 de dezembro de 2018
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Materiais Não-metálicos
Pesquisador responsável:Luis Vicente de Andrade Scalvi
Beneficiário:Luiz Felipe Kaezmarek Pedrini
Instituição-sede: Faculdade de Ciências (FC). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Bauru. Bauru , SP, Brasil
Assunto(s):Heteroestruturas   Propriedades elétricas   Filmes finos   Deposição de filmes finos   Dióxido de titânio   Dióxido de estanho   Transporte eletrônico

Resumo

O objetivo principal deste projeto de iniciação cientifica é o conhecimento sobre as propriedades de filmes finos SnO2 e TiO2, com e sem dopagem de Sb5+ e lantanídeos trivalente (Ln3+), respectivamente, combinados na forma de heteroestruturas. Isso envolve o domínio de técnicas de deposição, com posterior caracterização, de filmes finos de SnO2 e TiO2 individualmente, e a melhoria nas propriedades desses óxidos semicondutores quando acoplados na forma de heteroestruturas, particularmente no que se refere às propriedades elétricas fotoinduzidas de ambos materiais. Apesar de haver relatos quanto à utilização desse sistema para aplicação como sensor de gás, o objetivo principal aqui está ligado ao conhecimento das propriedades de transporte elétrico fotoinduzidas desse sistema, quando comparadas com as obtidas pelos semicondutores utilizados de forma independente. Isso visa aplicações optoeletrônicas, não descartando as possibilidades de se usar este conhecimento para se propor o sensoriamento gasoso no futuro. Para caracterização dos semicondutores tanto separadamente quanto na forma de heteroestrutura, propõem-se medidas de difração de raios-X, transmitância óptica na região do UV-Vis-IV próximo (250-3500 nm), fotoluminescência, microscopia eletrônica de varredura e microscopia de força atômica, além da própria caracterização elétrica, que se dará basicamente através de medidas de transporte elétrico com excitação óptica. Recentemente adquirimos um laser de He-Cd (325nm) em projeto Universal CNPq, que deve contemplar uma questão-chave de excitação de amostras, já que a energia excitação no ultravioleta se dará próxima à borda de absorção fundamental (bandgap) destes materiais. De modo geral, o problema abordado é inédito e deve propiciar conhecimento com alto potencial de aplicação tecnológica. (AU)