Bolsa 18/02011-3 - Semicondutores, Isolantes topológicos - BV FAPESP
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Interação dos estados da matéria com o meio: cavidades ópticas e ondas mecânicas

Processo: 18/02011-3
Modalidade de apoio:Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Doutorado
Data de Início da vigência: 16 de abril de 2018
Data de Término da vigência: 15 de abril de 2019
Área de conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Jose Antonio Brum
Beneficiário:Helder Faria Andriolo
Supervisor: Gerald Andre Maurice Bastard
Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
Instituição Anfitriã: École Normale Supérieure, Paris (ENS), França  
Vinculado à bolsa:16/06233-5 - Interação dos Estados da Matéria com o meio: Cavidades Ópticas e Ondas Mecânicas, BP.DR
Assunto(s):Semicondutores   Isolantes topológicos   Estados eletrônicos   Espectroscopia terahertz
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Eletronic states | Optical cavities | Polariton | Surface Acoustic Waves | terahertz spectroscopy | topological insulator | Semiconductor

Resumo

O objetivo principal do projeto é obter um controle externo das fases topológicas em matéria condensada. A pesquisa estuda dois possíveis materiais isolantes topológicos: i) uma família de HgTe-CdTe que possui um estado de interface HgTe/CdTe que pode induzir estados topológicos não triviais e ii) polaritons, que em certas condições também podem apresentar estados topológicos não triviais. Ondas acústicas de superfície (SAW) estão sendo usadas para controlar as propriedades eletrônicas, usando a SAW de maneira adequada, a presença do estado de interface pode ser manipulada, esta é uma maneira de impulsionar a transição de fase topológica. A espectroscopia terahertz (THz) será usada como um sensor para evidenciar a existência e as condições para a fase topológica e para testar a capacidade da SAW de atuar como um bom dispositivo para o controle da fase topológica. (AU)

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