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Propriedades ópticas e de transporte em altos campos magnéticos de heteroestruturas e dispositivos semicondutores baseados em materiais bidimensionais (2d)

Processo: 18/01808-5
Modalidade de apoio:Bolsas no Exterior - Pesquisa
Vigência (Início): 03 de setembro de 2018
Vigência (Término): 31 de julho de 2019
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Yara Galvão Gobato
Beneficiário:Yara Galvão Gobato
Pesquisador Anfitrião: Peter C.M. Christianen
Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
Local de pesquisa: Radboud University Nijmegen, Holanda  
Assunto(s):Semicondutores   Fotoluminescência   Materiais bidimensionais
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:fotoluminescencia | magnéto-ótica | Materiais bidimensionais | semicondutores | Física de Semicondutores

Resumo

Nesta proposta, pretendemos investigar as propriedades ópticas, magneto-óticas e de transporte de heteroestruturas/dispositivos baseados em materiais semicondutores bidimensionais (2D) de metais de transição do grupo VI dicalcogenados (TMDs) do tipo MX2 (M = Mo,W, Re e X= S,Se ou Te). A proposta envolve tanto aprendizado de montagens óticas e elétricas apropriadas para medidas de micro-fotoluminescência e fotocondutividade em altos magnéticos como também a realização de estudos em campos magnéticos intensos (30T) em materiais 2Ds sob supervisão do Prof. Dr. Peter C.M. Christianen (High Magnetic Field (HFML)-Nijmegen-Holanda).

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Publicações científicas (14)
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
DE SOUZA, DANIELE; ALHASSAN, SULTAN; ALOTAIBI, SAUD; ALHASSNI, AMRA; ALMUNYIF, AMJAD; ALBALAWI, HIND; KAZAKOV, IGOR P.; KLEKOVKIN, V, ALEXEY; ZINOVEV, SERGEY A.; LIKHACHEV, IGOR A.; et al. Structural and optical properties of n-type and p-type GaAs(1-x)Bi (x) thin films grown by molecular beam epitaxy on (311)B GaAs substrates. Semiconductor Science and Technology, v. 36, n. 7, . (19/07442-5, 18/01808-5)
GOBATO, Y. GALVAO; DE BRITO, C. SERATI; CHAVES, A.; PROSNIKOV, M. A.; WOZNIAK, T.; GUO, SHI; BARCELOS, INGRID D.; V. MILOSEVIC, M.; WITHERS, F.; CHRISTIANEN, P. C. M.. Distinctive g-Factor of Moire-Confined Excitons in van der Waals Heterostructures. Nano Letters, v. 22, n. 21, p. 6-pg., . (18/01808-5, 14/07375-2, 19/14017-9, 15/13771-0, 19/23488-5)
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TEIXEIRA, MAYARA MONDEGO; GOBATO, YARA GALVA; GRACIA, LOURDES; DA SILVA, LUIS FERNANDO; AVANSI JR, WALDIR; ASSIS, MARCELO; DE OLIVEIRA, REGIANE CRISTINA; PRANDO, GABRIELA AUGUSTA; ANDRES, JUAN; LONGO, ELSON. Towards a white-emitting phosphor Ca10V6O25 based material. Journal of Luminescence, v. 220, . (18/01808-5, 13/07296-2)
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ASSIS, MARCELO; RIBEIRO, RENAN A. P.; CARVALHO COSTA, MARIA HELENA; MONDEGO TEIXEIRA, MAYARA; GALVAO GOBATO, YARA; PRANDO, GABRIELA A.; RENATO MENDONCA, CLEBER; DE BONI, LEONARDO; APARECIDO DE OLIVEIRA, ADILSON JESUS; BETTINI, JEFFERSON; et al. Unconventional Magnetization Generated from Electron Beam and Femtosecond Irradiation on alpha-Ag2WO4: A Quantum Chemical Investigation. ACS OMEGA, v. 5, n. 17, p. 10052-10067, . (18/11283-7, 13/07296-2, 16/10668-7, 16/20886-1, 18/01808-5, 17/24995-2)
HAKKARAINEN, TEEMU; PITON, MARCELO RIZZO; FIORDALISO, ELISABETTA MARIA; LESHCHENKO, EGOR D.; KOELLING, SEBASTIAN; BETTINI, JEFFERSON; AVANCO GALETI, HELDER VINICIUS; KOIVUSALO, EERO; GOBATO, YARA GALVA; RODRIGUES, ARIANO DE GIOVANNI; et al. Te incorporation and activation as n-type dopant in self-catalyzed GaAs nanowires. PHYSICAL REVIEW MATERIALS, v. 3, n. 8, . (18/01808-5, 14/50513-7, 16/10668-7)
ALGHAMDI, HAIFA; GORDO, VANESSA ORSI; SCHMIDBAUER, MARTIN; FELIX, JORLANDIO F.; ALHASSAN, SULTAN; ALHASSNI, AMRA; PRANDO, GABRIELA AUGUSTA; COELHO-JUNIOR, HORACIO; GUNES, MUSTAFA; AVANCO GALETI, HELDER VINICIUS; et al. Effect of thermal annealing on the optical and structural properties of (311)B and (001) GaAsBi/GaAs single quantum wells grown by MBE. Journal of Applied Physics, v. 127, n. 12, . (19/07442-5, 18/01808-5, 16/10668-7)
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