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Propriedades ópticas e de transporte em altos campos magnéticos de heteroestruturas e dispositivos semicondutores baseados em materiais bidimensionais (2D)

Processo: 18/01808-5
Linha de fomento:Bolsas no Exterior - Pesquisa
Vigência (Início): 03 de setembro de 2018
Vigência (Término): 31 de julho de 2019
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Yara Galvão Gobato
Beneficiário:Yara Galvão Gobato
Anfitrião: Peter C.M. Christianen
Instituição-sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
Local de pesquisa : Radboud University Nijmegen, Holanda  
Assunto(s):Semicondutores   Fotoluminescência   Materiais bidimensionais

Resumo

Nesta proposta, pretendemos investigar as propriedades ópticas, magneto-óticas e de transporte de heteroestruturas/dispositivos baseados em materiais semicondutores bidimensionais (2D) de metais de transição do grupo VI dicalcogenados (TMDs) do tipo MX2 (M = Mo,W, Re e X= S,Se ou Te). A proposta envolve tanto aprendizado de montagens óticas e elétricas apropriadas para medidas de micro-fotoluminescência e fotocondutividade em altos magnéticos como também a realização de estudos em campos magnéticos intensos (30T) em materiais 2Ds sob supervisão do Prof. Dr. Peter C.M. Christianen (High Magnetic Field (HFML)-Nijmegen-Holanda).

Publicações científicas (8)
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
AL MASHARY, FAISAL S.; FELIX, JORLANDIO F.; FERREIRA, SUKARNO O.; DE SOUZA, DANIELE; GOBATO, YARA G.; CHAUHAN, JASBINDER; ALEXEEVA, NATALIA; HENINI, MOHAMED; ALBADRI, ABDULRAHMAN M.; ALYAMANI, AHMED Y. Investigation of the structural, optical and electrical properties of indium-doped TiO2 thin films grown by Pulsed Laser Deposition technique on low and high index GaAs planes. MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS, v. 259, SEP 2020. Citações Web of Science: 0.
ASSIS, MARCELO; RIBEIRO, RENAN A. P.; CARVALHO COSTA, MARIA HELENA; MONDEGO TEIXEIRA, MAYARA; GALVAO GOBATO, YARA; PRANDO, GABRIELA A.; RENATO MENDONCA, CLEBER; DE BONI, LEONARDO; APARECIDO DE OLIVEIRA, ADILSON JESUS; BETTINI, JEFFERSON; ANDRES, JUAN; LONGO, ELSON. Unconventional Magnetization Generated from Electron Beam and Femtosecond Irradiation on alpha-Ag2WO4: A Quantum Chemical Investigation. ACS OMEGA, v. 5, n. 17, p. 10052-10067, MAY 5 2020. Citações Web of Science: 0.
TEIXEIRA, MAYARA MONDEGO; GOBATO, YARA GALVA; GRACIA, LOURDES; DA SILVA, LUIS FERNANDO; AVANSI JR, WALDIR; ASSIS, MARCELO; DE OLIVEIRA, REGIANE CRISTINA; PRANDO, GABRIELA AUGUSTA; ANDRES, JUAN; LONGO, ELSON. Towards a white-emitting phosphor Ca10V6O25 based material. Journal of Luminescence, v. 220, APR 2020. Citações Web of Science: 0.
ALGHAMDI, HAIFA; GORDO, VANESSA ORSI; SCHMIDBAUER, MARTIN; FELIX, JORLANDIO F.; ALHASSAN, SULTAN; ALHASSNI, AMRA; PRANDO, GABRIELA AUGUSTA; COELHO-JUNIOR, HORACIO; GUNES, MUSTAFA; AVANCO GALETI, HELDER VINICIUS; GOBATO, YARA GALVAO; HENINI, MOHAMED. Effect of thermal annealing on the optical and structural properties of (311)B and (001) GaAsBi/GaAs single quantum wells grown by MBE. Journal of Applied Physics, v. 127, n. 12 MAR 31 2020. Citações Web of Science: 1.
PITON, MARCELO RIZZO; KOIVUSALO, EERO; HAKKARAINEN, TEEMU; AVANCO GALETI, HELDER VINICIUS; RODRIGUES, ARIANO DE GIOVANNI; TALMILA, SOILE; SOUTO, SERGIO; LUPO, DONALD; GOBATO, YARA GALVAO; GUINA, MIRCEA. Gradients of Be-dopant concentration in self-catalyzed GaAs nanowires. Nanotechnology, v. 30, n. 33 AUG 16 2019. Citações Web of Science: 1.
HAKKARAINEN, TEEMU; PITON, MARCELO RIZZO; FIORDALISO, ELISABETTA MARIA; LESHCHENKO, EGOR D.; KOELLING, SEBASTIAN; BETTINI, JEFFERSON; AVANCO GALETI, HELDER VINICIUS; KOIVUSALO, EERO; GOBATO, YARA GALVA; RODRIGUES, ARIANO DE GIOVANNI; LUPO, DONALD; KOENRAAD, PAUL M.; LEITE, EDSON ROBERTO; DUBROVSKII, VLADIMIR G.; GUINA, MIRCEA. Te incorporation and activation as n-type dopant in self-catalyzed GaAs nanowires. PHYSICAL REVIEW MATERIALS, v. 3, n. 8 AUG 5 2019. Citações Web of Science: 0.
SINGH, MOHIT KUMAR; BHUNIA, AMIT; AL HUWAYZ, MARYAM; GOBATO, Y. GALVAO; HENINI, MOHAMED; DATTA, SHOUVIK. Role of interface potential barrier, Auger recombination and temporal coherence in In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dot-based p-i-n light emitting diodes. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, v. 52, n. 9 FEB 27 2019. Citações Web of Science: 0.
BHUNIA, AMIT; SINGH, MOHIT KUMAR; GOBATO, Y. GALVAO; HENINI, MOHAMED; DATTA, SHOUVIK. Experimental Detection and Control of Trions and Fermi-Edge Singularity in Single-Barrier GaAs/AlAs/GaAs Heterostructures Using Photocapacitance Spectroscopy. PHYSICAL REVIEW APPLIED, v. 10, n. 4 OCT 17 2018. Citações Web of Science: 0.

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