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Estudo e caracterização elétrica de transistores FinFETs para aplicações espaciais

Processo: 17/25336-2
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
Vigência (Início): 01 de abril de 2018
Vigência (Término): 31 de dezembro de 2018
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas, Instrumentação
Pesquisador responsável:Paula Ghedini Der Agopian
Beneficiário:Welder Fernandes Perina
Instituição-sede: Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus Experimental São João da Boa Vista. São João da Boa Vista , SP, Brasil
Assunto(s):Transistores   Microeletrônica   Radiação (energia radiante)

Resumo

Com o avanço da tecnologia MOSFET, o controle das cargas na região do canal torna-se cada vez mais difícil e complexo. Os SOI MOSFET de múltiplas portas (Silicon-On-Insulator), também conhecidos como transistores FinFET, aparecem como uma alternativa aos planares devido ao melhor acoplamento eletrostático entre a porta e o canal, o que resulta em maior imunidade aos efeitos de canal curto. Uma das aplicações importantes de circuitos integrados avançados é a sua utilização em equipamentos e circuitos submetidos a um ambiente de radiação para aplicações médicas e aeroespaciais. Neste projeto será realizado o estudo teórico e experimental dos transistores FinFET submetidos à radiação. (AU)