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Avaliação da influência de alterações nos parâmetros físicos de OTFTs e de processos de deposição de filmes finos nos parâmetros elétricos do dispositivo

Processo: 18/16115-5
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
Vigência (Início): 01 de setembro de 2018
Vigência (Término): 30 de abril de 2019
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas, Instrumentação
Convênio/Acordo: SABESP
Pesquisador responsável:Fernando Josepetti Fonseca
Beneficiário:Vinicius Augusto Machado Nogueira
Instituição-sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo, SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:13/50440-7 - Análise da qualidade da água on line (ACQUA-OnLine), AP.PITE
Assunto(s):Nanotecnologia   Eletrônica orgânica   Filmes finos   Transistores   Nariz eletrônico

Resumo

Transistores de filmes finos orgânicos (OTFTs) são dispositivos compostos por três eletrodos, semelhante aos dispositivos MOS, com dreno (D), fonte (S) e porta (G). As duas principais tensões de polarização são aplicadas ao dreno e à porta (VDS e VGS, respectivamente) em relação ao eletrodo de referência, a fonte, responsáveis por gerar as curvas características de IDSxVDS para um conjunto de valores de VGS e transcaracterísticas de IDSx VGS para um conjunto de valores de VDS. O eletrodo de porta é separado do canal de condução um por dielétrico, sendo que a espessura e a presença de defeitos nesta camada é fundamental para determinar a corrente espúria de fuga pela porta, as tensões de operação e, até mesmo, a mobilidade de portadores de carga. A mobilidade é função de parâmetros físicos, tais como o comprimento e largura de canal, além de parâmetros de processamento, como temperatura de secagem da camada ativa semicondutora após a deposispin coating. Neste contexto, propõe-se um estudo de avaliação da influência de parâmetros físicos e de processamento do OTFT em seus parâmetros elétricos. A partir do conhecimento adquirido neste projeto, buscar-se-ão transistores de desempenho otimizado para confecção de nariz eletrônico cuja sensibilidade a MIB e GEO atinja 100 de partes por bilhão (ppb).

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