Avaliação da degradação de OTFTs em função da polarização elétrica contínua (D.C.) ou alternada (A.C.)

• Processo: 18/14979-2
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de setembro de 2018
• Data de Término da vigência: 31 de agosto de 2019
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica
• Acordo de Cooperação: SABESP
• Pesquisador responsável: Fernando Josepetti Fonseca
• Beneficiário: José Diogo da Silva Oliveira
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Empresa: Universidade de São Paulo (USP). Escola Politécnica (EP)
• Vinculado ao auxílio: 13/50440-7 - Análise da qualidade da água on line (ACQUA-OnLine), AP.PITE
• Assunto(s): Nanotecnologia Nanoeletrônica Qualidade da água Eletrônica orgânica
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Eletrônica Orgânica | geosmina | Nanotecnologia | Otft | qualidade da água | 2 metil-isoborneol | Nanoeletrônica

Resumo

Fator limitante da eficiência em dispositivos fotovoltaicos e eletroluminescentes (OLEDs), a susceptibilidade dos semicondutores orgânicos às condições de operação e impurezas tem aplicação direta em sensores químicos. Por outro lado, à medida que OTFTs apresentam desempenho compatível com dispositivos já comercializados para finalidades distintas ao sensoriamento, a instabilidade do transistor exposto à atmosfera, assim como sob constante polarização elétrica, torna-se indesejável. Atualmente, um grande esforço tem sido empregado na síntese de novos materiais que combinem elevada mobilidade de efeito de campo (¼FET) e estabilidade em condições atmosféricas normais. Os dois principais materiais que servem de referência são os acenos (tais como a pequena molécula de pentaceno) e tiofenos (tais como o polímero P3HT) [1]. A primeira forma de estudar a degradação do TFT é através da irradiação controlada do semicondutor [2]. Alternativamente, a degradação pode ser quantificada através da caracterização elétrica do dispositivo [3, 4]. Conhecida por bias stress, em tais experimentos, um sinal constante ou alternado é aplicado aos eletrodos do TFT por um intervalo de tempo e a corrente, assim como os principais parâmetros do transistor, são monitorados. Neste contexto, propõe-se um estudo de avaliação da degradação de OTFTs em função da polarização elétrica contínua (D.C.) ou alternada (A.C.). A partir do conhecimento adquirido neste projeto, será possível estimar o tempo de vida do nariz eletrônico operando em condições de menor tensão de operação possível que garanta a detecção dos contaminantes em concentração de partes por bilhão (ppb).