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Caracterização elétrica e modelagem de curvas características de corrente por tensão de sensores de OTFTs não-específicos para altas concentrações de MIB e GEO

Processo: 18/20097-2
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
Vigência (Início): 01 de outubro de 2018
Vigência (Término): 30 de abril de 2019
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica
Convênio/Acordo: SABESP
Pesquisador responsável:Fernando Josepetti Fonseca
Beneficiário:Luca Pantaleoni Di Natale
Instituição-sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo, SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:13/50440-7 - Análise da qualidade da água on line (ACQUA-OnLine), AP.PITE
Assunto(s):Nanotecnologia   Nanoeletrônica   Sensores   Eletrônica orgânica   Transistores

Resumo

Transistores de filmes finos orgânicos (OTFTs) são dispositivos compostos por três eletrodos, sendo que a corrente IDS circula somente por dreno (D, do inglês drain) e fonte (S, do inglês source) enquanto que o eletrodo de porta (G, do inglês gate) é responsável por modular esta corrente por tensão. As duas principais tensões de polarização são aplicadas ao dreno e à porta (VDS e VGS, respectivamente) em relação ao eletrodo de referência, a fonte, responsáveis por gerar as curvas características de IDSx VDS para um conjunto de valores de VGS e transcaracterísticas de IDSx VGS para um conjunto de valores de VDS. Portanto, a caracterização elétrica de OTFTs envolve a limitação dos extremos do intervalo e da máxima corrente de operação (compliance). Além disso, devem ser definidos o passo de variação de cada uma das tensões do transistor, isto é, VGS e VDS. No entanto, o transporte de carga nestes dispositivos deve considerar que os portadores de carga devem realizar saltos em sítios distantes de acordo com uma determinada distribuição estatística e transitar por níveis de energia discretos [3]. Neste contexto, propõe-se a definição de parâmetros de caracterização elétrica visando a modelagem das curvas transcaracterísticas do OTFT para extração de seus parâmetros elétricos. A partir do conhecimento adquirido neste projeto e de medidas obtidas em presença ou na ausência de MIB e GEO, poderá ser compreendido o efeito destes contaminantes no funcionamento do transistor.

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