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Influência da valência do elemento dopante sobre a estrutura local e eletrônica em óxidos de vanádio: espectroscopia de correlação angular perturbada diferencial em tempo no ISOLDE

Processo: 18/18657-0
Linha de fomento:Bolsas no Exterior - Pesquisa
Vigência (Início): 21 de outubro de 2018
Vigência (Término): 04 de novembro de 2018
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Artur Wilson Carbonari
Beneficiário:Artur Wilson Carbonari
Anfitrião: Juliana Schell
Instituição-sede: Instituto de Pesquisas Energéticas e Nucleares (IPEN). Secretaria de Desenvolvimento Econômico, Ciência e Tecnologia (São Paulo - Estado). São Paulo, SP, Brasil
Local de pesquisa : European Organization for Nuclear Research (CERN), Suíça  
Assunto(s):Estrutura eletrônica

Resumo

Interações hiperfinas medidas em diferentes núcleos de íons implantados (atuando como dopantes) nos óxidos vanádio (VO2 e V2O5) serão medidos para entender, juntamente com cálculos primeiros princípios, a fenomenologia de dopagem em escala nanoscópica e sua conseqüência naspropriedades elétricas e magnéticas dos óxidos hospedeiros. Os óxidos de vanádio são particularmente atraentes devido à suas transições de fase e à capacidade do íon vanádio de alterar seu estado de oxidação, sendo tais propriedades bem adequadas para aplicações em, por exemplo, sensores químicos, armazenamento de energia eletroquímica por meio da intercalação de íons de lítio, dispositivos catalíticos e optoeletrônicos. No ISOLDE-CERN nós estudaremos os efeitos da incorporação de dopantes selecionados (Cd, In, Sn) utilizando a técnica nuclear de correlação angular perturbada (PAC). As medições serão realizadas em função da temperatura para estudar o tratamento térmico dos defeitos de implantação e a incorporação e estabilidade dos dopantes, particularmente medindo sua configuração eletrônica durante a interação. Este projeto faz parte de um colaboração maior e sinérgica usando uma infinidade de técnicas de caracterização, onde especificamente almejamos obter informações locais exclusivas que podem ser usadas para otimizar o dispositivo de doping.