Desenvolvimento de nariz eletrônico baseado em transistores orgânicos de filmes finos(OTFTs) para detecção de 2-metilisoborneol (MIB) e geosmina (GEO)

• Processo: 18/20327-8
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de novembro de 2018
• Data de Término da vigência: 30 de abril de 2019
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica
• Acordo de Cooperação: SABESP
• Pesquisador responsável: Fernando Josepetti Fonseca
• Beneficiário: Douglas José Correia Gomes
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Empresa: Universidade de São Paulo (USP). Escola Politécnica (EP)
• Vinculado ao auxílio: 13/50440-7 - Análise da qualidade da água on line (ACQUA-OnLine), AP.PITE
• Assunto(s): Nanotecnologia Nanoeletrônica Eletrônica orgânica Nariz eletrônico
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Eletrônica Orgânica | geosmina | Nanotecnologia | nariz eletrônico | Otft | 2-metilisoborneol | Nanoeletrônica

Resumo

O nariz eletrônico é um sistema multissensorial não específico complementar ao sistema para fase líquida. A literatura descreve resultados com sensores químicos para MIB baseados em MIPs com medição em fase gasosa, porém o desempenho de tais dispositivos pode ser comprometido pelas baixas concentrações de MIB e GEO que devem ser detectadas no ar. Neste contexto, os transistores de filmes finos orgânicos (OTFTs, do inglês Organic Thin-Film Transistors), apesar de ainda não terem sido aplicados ao sensoriamento de MIB e GEO, caracterizam-se por um potencial aumento do limite de detecção se comparados aos sensores químicos. Já foi demonstrado seu potencial sensorial para solventes orgânicos voláteis, tais como alcanos, álcoois, ésteres, cetonas e nitrilas, além de gases, como umidade, amônia e gás carbônico. A principal diferença em relação ao sensor químico está no eletrodo de porta, responsável pelo acúmulo de cargas na região do canal de condução elétrica formado entre os eletrodos de fonte e dreno, e consequentemente pelo controle da resistência do mesmo. A camada ativa destes dispositivos pode ser obtida a partir de polímeros empregados em sensores químicos, além de semicondutores já estabelecidos para aplicação em OTFTs, tais como derivados de poli(para-fenileno vinileno) (PPV), politiofeno (PT), oligotiofenos e acenos.