Busca avançada
Ano de início
Entree

Estudo, simulação e caracterização elétrica do comportamento de portas lógicas quando submetidas radiação

Processo: 18/24685-6
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
Vigência (Início): 01 de fevereiro de 2019
Vigência (Término): 30 de novembro de 2019
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Telecomunicações
Pesquisador responsável:Paula Ghedini Der Agopian
Beneficiário:Vivian do Amaral Daúd Höring
Instituição-sede: Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus Experimental São João da Boa Vista. São João da Boa Vista , SP, Brasil
Assunto(s):Microeletrônica   Técnicas de caracterização elétrica   Radiação   Transistores

Resumo

A partir do desenvolvimento deste projeto pretende-se iniciar a aluna na pesquisa científica proporcionando um melhor entendimento do funcionamento dos transistores MOSFETs e suas aplicações. Uma vez que os efeitos causados pela radiação em dispositivos semicondutores têm se tornado cada vez mais importante em diversas aplicações de projetos, eles serão o principal foco do estudo, dando um passo à frente do que é apresentado no ambiente de graduação. O bom andamento do projeto de pesquisa em questão pode então ser avaliado a partir do cumprimento das etapas do projeto segundo o cronograma proposto e através das publicações geradas para os simpósios de iniciação científica.