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Deposição de sílica na zircônia via deposição de camada atômica em temperatura ambiente (RT-ALD): efeito na resistência de união com cerâmica de cobertura

Processo: 18/24984-3
Linha de fomento:Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Doutorado
Vigência (Início): 01 de junho de 2019
Vigência (Término): 30 de abril de 2020
Área do conhecimento:Ciências da Saúde - Odontologia - Materiais Odontológicos
Pesquisador responsável:Aldiéris Alves Pesqueira
Beneficiário:Sandro Basso Bitencourt
Supervisor no Exterior: Benjamin Hatton
Instituição-sede: Faculdade de Odontologia (FOA). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Araçatuba. Araçatuba , SP, Brasil
Local de pesquisa : University of Toronto (U of T), Canadá  
Vinculado à bolsa:17/13933-6 - Potencial mecânico da associação de diferentes tratamentos com a deposição de filmes por vapor químico melhorado por plasma na superfície da zircônia, BP.DR
Assunto(s):Tratamento de superfícies   Prótese dentária   Zircônia

Resumo

A zircônia policristalina estabilizada por ítria (Y-TZP) pode ser usada como uma infraestrutura de restaurações metal-free. No entanto, a interface entre Y-TZP e cerâmica de cobertura é um dos aspectos mais fracos e mais críticos dessas restaurações. Desta forma, os tratamentos de superfície são aplicados para melhorar a força de adesão entre Y-TZP e a cerâmica de cobertura. A Y-TZP é suscetível à degradação a baixa temperatura, uma transformação espontânea de fase t-m, que ocorre ao longo do tempo a baixas temperaturas. Este processo de envelhecimento pode ser acelerado usando uma autoclave e protocolos controlados, originando uma camada superficial transformada rugosa e com microfissuras. Os nano-espaços dessa camada porosa t-m transformada têm potencial para ser infiltrados por filmes desenvolvidos através de uma técnica chamada de deposição de camada atômica (ALD). ALD pode efetivamente depositar sílica (SiO2) nas superfícies desejadas. Uma nova maneira de realizar o tratamento ALD baseia-se na temperatura ambiente do ALD (RT-ALD), um método simples para deposição de filmes finos que pode criar uma camada de sílica usando equipamentos de laboratório de bancada baratos e em condições ambientais. Assim, o objetivo geral deste estudo é desenvolver uma interface híbrida entre a camada transformada de t-m porosa de Y-TZP e nanofilme à base de sílica usando RT-ALD. O protocolo de envelhecimento será otimizado para obter uma superfície porosa sem diminuição significativa nas propriedades mecânicas. O RT-ALD será então empregado para gerar um filme uniforme de sílica na superfície do Y-TZP. Serão avaliadas as propriedades mecânicas das amostras envelhecidas, a qualidade da deposição de filmes de sílica e a resistência de união entre as superfícies experimentais e o material de revestimento (Fringe Projection Phase Shifting, Microscopia Eletrônica de Varredura e Espectroscopia de Energia Dispersiva, Microscopia de força atômica, Energia livre de superfície). A resistência de união será avaliada após a aplicação de uma cerâmica de cobertura e o modo de falha será avaliado. Os dados obtidos serão submetidos ao teste de aderência da curva normal, sendo aplicado o teste estatístico apropriado para a comparação dos valores médios das amostras (± = 0,05).

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