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Interface spin-fóton baseada em pontos quânticos carregados

Processo: 19/05888-6
Linha de fomento:Bolsas no Exterior - Pesquisa
Vigência (Início): 12 de agosto de 2019
Vigência (Término): 11 de junho de 2020
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Marcio Daldin Teodoro
Beneficiário:Marcio Daldin Teodoro
Anfitrião: Loic Lanco
Instituição-sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
Local de pesquisa : Université Paris Diderot - Paris 7, França  
Assunto(s):Pontos quânticos   Semicondutores   Efeito Kerr

Resumo

Este projeto é dedicado ao desenvolvimento de interfaces spin-fótons para aplicações a curto e longo prazo. Para o desenvolvimento controlado da interação entre um qubit de spin estacionário e fótons, usaremos sistemas de pontos quânticos semicondutores embebidos em cavidades com uma geometria única baseada no desenvolvimento de cavidades na forma de micropilares deterministicamente acoplada a pontos quânticos de InAs, com o objetivo de explorar a rotação gigante da polarização induzida por um único spin. Especificamente, este projeto será dedicado as seguintes linhas de pesquisa: (1) experimentos em mecânica quântica fundamental, usando a interação spin-fóton para controlar os processos de medidas em vários regimes (desde medidas de ruídos de spin até decoerência induzida por fótons, desde a evolução coerente livre até o efeito quântico Zeno. (2) Demonstração de emaranhamento, com o objetivo de observar este fenômeno entre muitos fótons para aplicações na transmissão de informação em nível quântico. Um impacto adicional é esperado no desenvolvimento de fontes emissoras de um único fóton de alto brilho, cuja aplicação já atingiu o nível comercial.

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