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Deposição de heteroestruturas de SnO2 e TiO2 por dip-coating por um método que envolve duas fases

Processo: 19/00683-7
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Mestrado
Vigência (Início): 01 de agosto de 2019
Vigência (Término): 31 de julho de 2021
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Materiais Não-metálicos
Pesquisador responsável:Luis Vicente de Andrade Scalvi
Beneficiário:Luiz Felipe Kaezmarek Pedrini
Instituição-sede: Faculdade de Ciências (FC). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Bauru. Bauru , SP, Brasil
Assunto(s):Dióxido de titânio   Dióxido de estanho

Resumo

Considerando que filmes finos possuem uma variedade de aplicações, em diversos campos e tecnologias, diversos meios de serem confeccionados têm sido desenvolvidos, seja por deposições físicas como crescimentos epitaxiais, evaporação resistiva, CVD (Chemical Vapour Deposition) e ALD (Atomic Layer Deposition), como processos químicos, tais como métodos sol-gel (dip-coating, spin-coating e doctor-blade) ou Langmuir-Blodgett. Dentre estes, os métodos sol-gel apresentam simplicidade na produção de filmes óxidos, sendo interessantes para obtenção dos filmes tanto em escala industrial quanto para pesquisa científica. Neste projeto tem-se o objetivo de estudar os efeitos e possíveis vantagens e desvantagens da deposição por dip-coating em sistemas de duas fases, aplicando este método para obtenção de filmes de TiO2 e filmes de SnO2 assim como heteroestruturas compostas por ambos. A literatura existente sobre esses materiais nos dá uma ampla base na qual trabalhar. Este trabalho visa o desenvolvimento de um método que deverá permitir maior controle sobre as propriedades do filme final obtido após deposição. A proposta envolve o controle de parâmetros como escolha de solventes, composição e concentração das fases, viscosidade, pH, velocidade de deposição, tipo de substrato, entre outros. O estudo dos efeitos desse método sobre as características elétricas e estruturais da matriz cristalina são inéditos, e deve levar a possíveis resultados não acessíveis com o método usual, tais como melhorias nas aplicações em áreas de sensoriamento de gás, com melhor manipulação de sua superfície, e também para dispositivos eletrônicos transparentes tais como transistores de efeito de campo (FETs) e capacitores.