Estudo de um diodo schottky de beta-Ga2O3 visando aplicações transparentes a luz solar

• Processo: 19/14366-3
• Linha de fomento: Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Mestrado
• Vigência (Início): 30 de outubro de 2019
• Vigência (Término): 13 de fevereiro de 2020
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica
• Pesquisador responsável: Neri Alves
• Beneficiário: Douglas Henrique Vieira
• Supervisor no Exterior: Jeff Kettle
• Instituição-sede: Faculdade de Ciências e Tecnologia (FCT). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Presidente Prudente. Presidente Prudente , SP, Brasil
• Local de pesquisa: Bangor University, País de Gales
• Vinculado à bolsa: 18/04169-3 - Desenvolvimento de um fotodetector UV usando um diodo Schottky e um transistor à base de ZnO por spray pyrolysis, BP.MS
• Assunto(s): Dispositivos eletrônicos Diodos Gálio Luz solar Transistores

Resumo

Um modo interessante de produzir um sensor de UV é integrar um diodo e um transistor. No entanto, se você deseja fabricar esse circuito sem encapsulamento, é necessário usar um filtro de bloqueio para impedir a alteração dos parâmetros dos dispositivos. O óxido de gálio (Ga2O3) é um material interessante devido ao seu largo bandgap de ~4,9 eV que o torna um candidato ideal para dispositivos transparentes a luz solar e sensor de UV profundo. A fase ² do Ga2O3 é a mais quimicamente e termodinamicamente estável e, por isso, é a mais utilizada nas aplicações em dispositivos eletrônicos. Essa fase também apresenta grande potencial pois suporta alto campo elétrico, o que é vantajoso para a redução do tamanho do dispositivo e aprimora o nível de integração dos módulos de potência. Nosso objetivo é obter filmes de ²-Ga2O3 por evaporação térmica ou spray pyrolysis de um precursor acetilacetonato de gálio (Ga(acac)3),visando a sua aplicação como transistor transparente a luz solar em um fotodetector UV. Para isso caracterizaremos a morfologia, estrutura e propriedades ópticas do filme. Também vamos usar a configuração do diodo Schottky como plataforma de teste de dispositivo para iniciar a caracterização das propriedades elétricas dos filmes.

Publicações científicas

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

VIEIRA, DOUGLAS H.; BADIEI, NAFISEH; EVANS, JONATHAN E.; ALVES, NERI; KETTLE, JEFF; LI, LIJIE. Improvement of the Deep UV Sensor Performance of a beta-Ga2O3 Photodiode by Coupling of Two Planar Diodes. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, v. 67, n. 11, p. 4947-4952, NOV 2020. (19/14366-3)