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Estrutura Metal-Isolante-Metal automontado para aplicações em sistemas de memória resistiva

Processo: 19/16249-4
Linha de fomento:Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Doutorado
Vigência (Início): 01 de dezembro de 2019
Vigência (Término): 30 de novembro de 2020
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física
Pesquisador responsável:Varlei Rodrigues
Beneficiário:Gabriel Gaál
Supervisor no Exterior: Henrique Leonel Gomes
Instituição-sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
Local de pesquisa : Universidade do Algarve (UAlg), Portugal  
Vinculado à bolsa:17/19862-3 - Estudo de filmes nanoestruturados condutores e self-healing para aplicação em eletrônica flexível, BP.DR
Assunto(s):Memristor

Resumo

Esse projeto é focado no desenvolvimento de sistemas de memória resistiva baseados em sistema híbridos nanoestruturados de óxido de grafeno reduzido (rGOs, do inglês reduced graphene oxide) envelopados por polímeros. Do ponto de vista tecnológico eletrônica baseada em grafeno é uma área atrativa dado que a eletrônica tradicional baseada em semicondutores de silício está chegando a limites fundamentais. rGOs oferecem um grande flexibilidade para o desenvolvimento de tais sistemas devido suas propriedades interessantes como bandgap ajustável, alta mobilidade eletrônica, fácil processamento e possibilidade de deposição em inúmeros substratos flexíveis. Nesse contexto, a estruturação camada a camada (LbL, do inglês Layer-by-Layer) é uma forma elegante de construir nanoestruturas multicamadas com controle morfológico a nível molecular. Tal estruturação LbL também permite a integração de CNTs, nanoflocos de grafeno, polímeros, nanoparticulas metálicas, enzimas, DNA e etc., combinando-os sinergicamente em arquiteturas moleculares diferentes dos componentes individuais. Existem poucos trabalhos na literatura que exploram a estruturação LbL na fabricação de eletrônica baseada em grafeno, de forma que esse projeto abre uma grande oportunidade para contribuições em eletrônica orgânica e biossensoriamento. Professor Henrique L. Gomes é um pesquisador renomado em eletrônica orgânica e ciência de materiais. Suas pesquisas têm se focado na direção de caracterização de dispositivos eletrônicos baseados em filmes finos como transistores de efeito de campo, diodos e capacitores com estruturação MIS. Ele tem experiência reconhecida em medidas de sistemas de baixa impedância e desde 2010 suas atividades acadêmicas têm se expandido para englobar biossensores e dispositivos biomédicos. Da nossa parte iremos contribuir com a expertise da estruturação e caracterização dos filmes LbL, funcionalização das nanofolhas de grafeno e trabalhos com polímeros condutores.