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"desenvolvimento de processos de corrosão para fabricação de microestruturas de alta razão de aspecto em MEMS"

Processo: 19/12933-8
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
Vigência (Início): 01 de setembro de 2019
Vigência (Término): 30 de abril de 2021
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica
Pesquisador responsável:Luciana Wasnievski da Silva de Luca Ramos
Beneficiário:Diana Lizeth Torres Sánchez
Instituição-sede: Instituto de Pesquisas Tecnológicas S/A (IPT). Secretaria de Desenvolvimento Econômico (São Paulo - Estado). São Paulo , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:17/50343-2 - Plano de desenvolvimento institucional na área de transformação digital: manufatura avançada e cidades inteligentes e sustentáveis (PDIp), AP.PDIP
Assunto(s):Sistemas microeletromecânicos

Resumo

O objetivo deste projeto é aperfeiçoar processos existentes de microfabricação empregados na produção e encapsulamento de acelerômetros capacitivos em micro sistemas eletro-mecânicos (MEMS). O foco será em processos de corrosão para o desenvolvimento de microestruturas de alta razão de aspecto (HAR - High Ascpect Ratio) usando as instalações disponíveis dos laboratórios do IPT no Brasil. Processos serão otimizados e padronizados, visando futura produção dos acelerometros em escala.Microestruturas com HAR que possuam paredes laterais retas e lisas possibilitam alta sensibilidade capacitiva em sensores inerciais, assim como alta densidade de vias HAR desejada no encapsulamento de MEMS. Para o desenvolvimento dessas microestruturas HAR, a corroção da parede deve ser cuidadosamente controlada. A redução da taxa de corroção da parede lateral permite uma corroção mais profunda. Processos de corrosão serão desenvolvidos e otimizados para obtenção de microestruturas com HAR, próximas ou superiores a 10, empregando diferentes combinações de larguras e profundidades. Para esse propósito, processos de corrosão úmida e seca serão avaliados, incluindo corroção profunda com íons reativos e processo Bosch. Dois demonstradores com microestruturas HAR, uma com dimensões típicas para o sensor capacitivo MEMS e outra com dimensões típicas para o encapsulamento de MEMS serão fabricados e caracterizados.Este projeto terá a duração de dois anos, e faz parte do projeto PDIP FAPESP do IPT (Grant 17/50343-2) denominado "Plano de Desenvolvimento Institucional na Área de Transformação Digital: Manufatura Avançada e Cidades Inteligentes (subprojeto: Sensor Inercial Autônomo). Os resultados serão divulgados através de publicações, apresentações em congressos e treinamento de outros alunos que participam do projeto.