Busca avançada
Ano de início
Entree

Medidas de ruído em baixa frequência de SOI FinFETs operando como elementos biossensores

Processo: 19/23283-4
Linha de fomento:Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Doutorado
Vigência (Início): 01 de março de 2020
Vigência (Término): 28 de fevereiro de 2021
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica
Pesquisador responsável:João Antonio Martino
Beneficiário:Carlos Augusto Bergfeld Mori
Supervisor no Exterior: Pol Van Dorpe
Instituição-sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Local de pesquisa : University of Leuven (KU Leuven), Bélgica  
Vinculado à bolsa:17/26489-7 - Projeto e fabricação de um BE SOI Túnel-FET como elemento biossensor, BP.DR
Assunto(s):Técnicas biossensoriais   Transistores FinFET   Microeletrônica

Resumo

Biossensores têm um papel central para a melhoria da qualidade e da expectativa de vida da sociedade contemporânea, sendo extremamente importantes para monitorar em tempo real a evolução de doenças e até mesmo prevenir ameaças biológicas de alto risco. Entre as plataformas biossensíveis sendo estudadas e desenvolvidas, dispositivos micro e nanoeletrônicos construídos em substratos SOI (do inglês, Silicon-On-Insulator) apresentam grande potencial. Este projeto de pesquisa propõe a caracterização elétrica de um dispositivo SOI FinFET adaptado para uso como um elemento biossensor, cuja performance princípios físicos de funcionamento serão avaliados a partir da observação das curvas características de performance dos transistores (inseridos ou não em meios biológicos) e de simulações numéricas para o estudo da sua física. Além da extração de parâmetros básicos, este projeto visa estudar em detalhe o ruído de baixa frequência deste tipo de dispositivos, uma vez que seu comportamento ainda não é amplamente compreendido na literatura.