Acoplamento optomecânico dissipativo

• Processo: 20/15786-3
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado Direto
• Data de Início da vigência: 01 de abril de 2021
• Data de Término da vigência: 31 de agosto de 2024
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física
• Pesquisador responsável: Thiago Pedro Mayer Alegre
• Beneficiário: Pedro Vinicius Pinho Nascimento
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 18/15580-6 - Cavidades optomecânicas rumo ao acoplamento forte com fótons únicos, AP.JP2
• Assunto(s): Optomecânica Fotônica Acoplamento (física) Semicondutores Equipamentos eletromagnéticos Silício Nitreto de silício
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Fotonica | Optomecânica | Optomecânica

Resumo

Este projeto tem como proposta desenvolver estruturas micro e nanométricas que irão explorar diferentes geometrias e materiais para melhorar a interação não linear entre fótons e fônons. Nosso objetivo é aprimorar o acoplamento optomecânico, entender os efeitos limitantes de cada material e, aproveitando as novas capacidades dos materiais, criar conhecimentos fundamentais e aplicados em dispositivos fotônicos integrados. Como objetivo final, serão fabricados dispositivos com acoplamento altamente dissipativo e dispersivo baseado em ligas semicondutoras III-V, silício ou nitreto de silício. No caso ativo, o aluno irá interagir com outros membros do grupo e de outros grupos para estudar e se possível demonstrar o acoplamento entre oscilações de relaxação na emissão de laser com vibrações optomecânicas. O projeto contará com o projeto das estruturas suportado por simulações numéricas e a conseqüente fabricação utilizando técnicas usuais para dispositivos Silicon-on-Insulator (SOI). As caracterizações das fontes serão feitas por meio de medidas de transmissão ou reflexão em fibras ópticas afuniladas. A maior parte da fabricação e preparação das amostras será realizada no Laboratório de Pesquisa de Dispositivos do IFGW - UNICAMP, no Centro de Componentes Semicondutores e Nanotecnologias - UNICAMP, e no MackGraphe Lab - Mackenzie. (AU)