Deposição de heteroestruturas transparentes de ZrO2 associado ao semicondutor óxido SnO2, com potencial utilização em dispositivos optoeletrônicos

• Processo: 21/04144-3
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Vigência (Início): 01 de setembro de 2021
• Vigência (Término): 28 de fevereiro de 2022
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Materiais Não-metálicos
• Pesquisador responsável: Luis Vicente de Andrade Scalvi
• Beneficiário: Lucas Prado Fonseca
• Instituição Sede: Faculdade de Ciências (FC). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Bauru. Bauru , SP, Brasil
• Assunto(s): Materiais não metálicos Óptica eletrônica Filmes finos Heteroestruturas Dióxido de estanho Óxidos semicondutores Zircônia Sensoriamento
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Dióxido de estanho | Filmes finos | heteroestrutura | Transistor | zirconia | semicondutores óxidos

Resumo

A presente proposta envolve a deposição de camadas de óxido de zircônio (ZrO2), óxido com características isolantes, via sol-gel (processo químico). Além da investigação dessas camadas, propõe-se também a combinação com camadas de SnO2 criando um dispositivo transparente simples, baseado nas heterojunção SnO2/ZrO2. A idéia central do projeto é o uso desses óxidos para as funções de canal de condução (SnO2) e de isolamento elétrico em transistor transparente de efeito de campo (FET), que será construído de modo simples, com potencial aplicação em optoeletrônica. Ainda que não seja prioritário neste projeto, é importante mencionar que a combinação desses óxidos também tem levado à otimização de dispositivos para sensoriamento de gás. Alternativamente propõe-se também a adição de uma camada intermediária de nanoparticulas de poliestireno (PS). O aluno já vem trabalhando nessa linha de pesquisa nos últimos dois anos, de modo que os 8 meses de bolsa solicitados neste projeto são suficientes para que atinja bons resultados, sendo esse tempo até sua graduação. (AU)