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Deposição de heteroestruturas transparentes de ZrO2 associado ao semicondutor óxido SnO2, com potencial utilização em dispositivos optoeletrônicos

Processo: 21/04144-3
Modalidade de apoio:Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
Vigência (Início): 01 de setembro de 2021
Vigência (Término): 28 de fevereiro de 2022
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Materiais Não-metálicos
Pesquisador responsável:Luis Vicente de Andrade Scalvi
Beneficiário:Lucas Prado Fonseca
Instituição Sede: Faculdade de Ciências (FC). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Bauru. Bauru , SP, Brasil
Assunto(s):Materiais não metálicos   Óptica eletrônica   Filmes finos   Heteroestruturas   Dióxido de estanho   Óxidos semicondutores   Zircônia   Sensoriamento
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Dióxido de estanho | Filmes finos | heteroestrutura | Transistor | zirconia | semicondutores óxidos

Resumo

A presente proposta envolve a deposição de camadas de óxido de zircônio (ZrO2), óxido com características isolantes, via sol-gel (processo químico). Além da investigação dessas camadas, propõe-se também a combinação com camadas de SnO2 criando um dispositivo transparente simples, baseado nas heterojunção SnO2/ZrO2. A idéia central do projeto é o uso desses óxidos para as funções de canal de condução (SnO2) e de isolamento elétrico em transistor transparente de efeito de campo (FET), que será construído de modo simples, com potencial aplicação em optoeletrônica. Ainda que não seja prioritário neste projeto, é importante mencionar que a combinação desses óxidos também tem levado à otimização de dispositivos para sensoriamento de gás. Alternativamente propõe-se também a adição de uma camada intermediária de nanoparticulas de poliestireno (PS). O aluno já vem trabalhando nessa linha de pesquisa nos últimos dois anos, de modo que os 8 meses de bolsa solicitados neste projeto são suficientes para que atinja bons resultados, sendo esse tempo até sua graduação. (AU)

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Publicações científicas
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
DE OLIVEIRA, LETICIA DA S.; FONSECA, LUCAS P.; DE SOUZA, RENATO D.; BUENO, CRISTINA DE F.; MARTINS, LUCAS M.; SCALVI, LUIS V. A.. Deposition of hybrid structures of reduced graphene oxide and tin dioxide thin films, and persistent photoconductivity observation. CURRENT APPLIED PHYSICS, v. 41, p. 10-pg., . (21/04144-3)
FONSECA, LUCAS P.; SCALVI, LUIS V. A.. Zirconium oxide film deposition properties to build transparent electronic devices in conjunction with tin dioxide. INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, v. 36, n. 22, p. 15-pg., . (21/04144-3)

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