Bolsa 22/13615-2 - Cristais fotônicos, Informação quântica - BV FAPESP
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Incorporação e caracterização de vancâncias de silício em cavidades em cristais fotônicos fabricadas em carboneto de silício

Processo: 22/13615-2
Modalidade de apoio:Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Doutorado Direto
Data de Início da vigência: 28 de fevereiro de 2023
Data de Término da vigência: 27 de dezembro de 2023
Área de conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Cleber Renato Mendonça
Beneficiário:Filipe Assis Couto
Supervisor: Evelyn Hu
Instituição Sede: Instituto de Física de São Carlos (IFSC). Universidade de São Paulo (USP). São Carlos , SP, Brasil
Instituição Anfitriã: Harvard University, Estados Unidos  
Vinculado à bolsa:20/08715-2 - Fabricação de microressonadores poliméricos com nanodiamantes para tecnologias de informação quântica, BP.DD
Assunto(s):Cristais fotônicos   Informação quântica   Óptica e fotônica
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Carboneto de silício | Cavidades fotônicas | centros de cor | cristais fotônicos | Informação Quântica | Óptica e fotônica

Resumo

A integração de emissores quânticos em cavidades fotônicas tem sido uma ótima plataforma para estudos em tecnologias de informação quântica. Quando os modos das cavidades estão em ressonância com os emissores, a taxa de emissão pode ser aumentada, permitindo a realização de diversos experimentos em informação quântica. Nesse contexto, carboneto de silício (SiC) é um material de interesse, pois é um semicondutor tecnologicamente maduro que contém uma variedade de centros de cor, que podem atuar como emissores quânticos. Além disso, o processo de fabricação nesse material é melhor conhecido em comparação a outros materiais, como diamante, permitindo assim a fabricação de estruturas fotônicas. Em particular, cristais fotônicos 1D tem sido utilizados para confinar e engrandecer a emissão de vários centros de cor em SiC. Nesse BEPE, será estudada a incorporação de vacância de silício (SiV) via irradiação a laser, diretamente nas cavidades ópticas fabricadas em 4H SiC, e caracterizada as propriedades de emissão dos SiV. O grupo anfitrião da professora Evelyn Hu tem vasta experiência estudando centros de cor integrados em cavidades fotônicas, e está atualmente realizando pesquisas promissoras incorporando SiV diretamente em cavidades fotônicas, o que certamente irá contribuir para o desenvolvimento de experimentos no Brasil, onde estamos estudando centros de cor NV em diamantes integrados em microrressonadores cilíndricos. (AU)

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