Busca avançada
Ano de início
Entree

Explorando o sinal de capacitância quântica em transistores de efeito de campo de grafeno com porta eletrolítica para aplicações biosensoras

Processo: 22/05158-0
Modalidade de apoio:Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Doutorado Direto
Vigência (Início): 12 de abril de 2023
Vigência (Término): 29 de março de 2024
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Química - Química Analítica
Pesquisador responsável:Paulo Roberto Bueno
Beneficiário:Edgar Fabian Pinzon Nieto
Supervisor: João Pedro dos Santos Hall de Agorreta de Alpuim
Instituição Sede: Instituto de Química (IQ). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Araraquara. Araraquara , SP, Brasil
Local de pesquisa: International Iberian Nanotechnology Laboratory (INL), Portugal  
Vinculado à bolsa:18/24525-9 - Eletrônica e eletroquímica em escala nanométrica: fundamentos e aplicações, BP.DD
Assunto(s):Eletroquímica   Eletroanalítica   Grafenos   Transistores de efeito de campo
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:capacitância quântica | condutância | Corrente Alternada | deteção quântica | Grafeno | transistor de efeito de campo | Eletroquímica e Eletroanalítica

Resumo

Os transistores de efeito de campo de grafeno com porta eletrolítica (TGPE) são usados com sucesso para o desenvolvimento de plataformas biosensoras com características de sensibilidade superior, comparadas com os dispositivos semicondutores convencionais. No entanto, o princípio operacional dos dispositivos TGPE convencionais está baseado em fenômenos eletrostáticos, o que limita consideravelmente o aproveitamento das propriedades quânticas intrinsecamente presentes no grafeno. Portanto, o desenvolvimento de novas configurações TGPE que levem em conta as propriedades quânticas são necessárias para a obtenção de dispositivos analíticos de alto desempenho. Nós planejamos aqui o desenvolvimento deum arranjo de dispositivos TGPE operado em modo CA (corrente alternada) [onde os terminais de dreno e fonte são acionados por uma corrente de deslocamento ou ressonância em vez de um modo CD (corrente direta) de transporte]. Dentro desta arquitetura TGPE, a modificação da porta com uma monocamada automontada eletroativa pode aumentar a sensibilidade do dispositivo usando o fenômeno ressoante de transferência eletrônica presente nesta junção molecular. Neste caso, os processos de transporte de elétrons e armazenamento de energia, associados aos estados redox, são governados pela resposta da capacitância quântica da interface. A utilização de receptores alvo de ADN visa desenvolver ensaios genômicos baseado numa configuração TGPE quântica. (AU)

Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre a bolsa:
Matéria(s) publicada(s) em Outras Mídias (0 total):
Mais itensMenos itens
VEICULO: TITULO (DATA)
VEICULO: TITULO (DATA)