Bolsa 23/07486-8 - Semicondutores, Materiais nanoestruturados - BV FAPESP
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Modificação superficial de semicondutores nanoestruturados por irradiação com laser de femtosegundos e com feixe de elétrons visando a fabricação de sensores de gás

Processo: 23/07486-8
Modalidade de apoio:Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
Data de Início da vigência: 01 de setembro de 2023
Situação:Interrompido
Área de conhecimento:Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Materiais Não-metálicos
Pesquisador responsável:Elson Longo da Silva
Beneficiário:Pedro Paulo da Silva Ortega
Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:13/07296-2 - CDMF - Centro de Desenvolvimento de Materiais Funcionais, AP.CEPID
Bolsa(s) vinculada(s):24/08759-0 - Investigação das propriedades de sensoriamento de gases de semicondutores modificados com laser de femtosegundos e abordagens para minimizar a interferência da umidade nas medidas de sensoriamento., BE.EP.PD
Assunto(s):Semicondutores   Materiais nanoestruturados   Irradiação   Heterojunção   Sensores de gases   Laser de femtosegundo   Tecnologia de feixe de elétrons
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:heterojunções | irradiação | Morfologias | nanoestruturas | semicondutores | Sensores de gás | Semicondutores

Resumo

Devido à constante e crescente poluição do meio ambiente, o desenvolvimento de sensores de gases seletivos e sensíveis a gases tóxicos e inflamáveis em concentrações baixas (menores que 50 ppm) e em diversas condições ambientais é de extrema importância. Para tal, diversos pesquisadores têm tentado melhorar as propriedades de materiais sensores por meio da síntese, controle morfológico, dopagem, heteroestruturas e funcionalização superficial. Neste sentido, este projeto propõe a fabricação de diferentes nanoestruturas de ZnO, CeO2 e NiO a partir da síntese hidrotermal assistida por micro-ondas seguida de modificação superficial por irradiação com laser em femtosegundos ou por feixe de elétrons. A irradiação permitirá a obtenção de amostras com vacâncias catiônicas e propriedades similares a semicondutores tipo-p, além de heterojunções óxido/metal, que poderão melhorar a seletividade e resposta desses materiais frente a diferentes gases. As amostras preparadas terão suas propriedades estruturais e morfológicas caracterizadas por difratometria de raios-X, espectroscopia Raman, infravermelho, microscopia eletrônica de varredura e microscopia eletrônica de transmissão. Outras técnicas avançadas de caracterização, como espectroscopia de aniquilação de pósitrons, espectroscopia de ressonância paramagnética e espectroscopia de impedância complexa poderão fornecer informações essenciais sobre a estrutura de defeitos e mecanismos de condução das nanoestruturas sintetizadas. Filmes sensores serão preparados a partir das amostras fabricadas e depositados sobre substratos de alumina com eletrodos ouro. O desempenho dos filmes sensores com relação à sua sensibilidade, tempo de resposta e recuperação, seletividade e temperatura de trabalho será avaliado frente a gases oxidantes e redutores, com temperatura e atmosferas controladas. A alteração da estrutura de defeitos e funcionalização da superfície sem a necessidade de dopantes ou uso de metais nobres é de grande interesse científico e tecnológico, uma vez que poderá melhorar a resposta dos filmes ao mesmo tempo em que diminui os custos e simplifica os processos de obtenção desses materiais. (AU)

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Publicações científicas
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
ORTEGA, PEDRO PAULO; AMORESI, RAFAEL APARECIDO CIOLA; TEODORO, MARCIO DALDIN; MERIZIO, LEONNAM GOTARDO; RAMIREZ, MIGUEL ANGEL; ALDAO, CELSO MANUEL; MALAGU, CESARE; PONCE, MIGUEL ADOLFO; LONGO, ELSON; SIMORS, ALEXANDRE ZIRPOLI. Insights into the Morphology and Structural Defects of Eu-Doped Ceria Nanostructures for Optoelectronic Applications in Red-Emitting Devices. ACS APPLIED NANO MATERIALS, v. 7, n. 11, p. 14-pg., . (23/07486-8, 13/07296-2, 19/21770-5, 18/26550-0, 21/10780-0, 17/19143-7)