Crescimento por sputtering e caracterização estrutural e elétrica de filmes finos de ZnO

• Processo: 24/05660-3
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de agosto de 2024
• Data de Término da vigência: 31 de julho de 2025
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Valmir Antonio Chitta
• Beneficiário: Caio André Monari
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 21/12470-8 - Pesquisa em materiais quânticos envolvendo campos magnéticos intensos e baixas temperaturas, AP.TEM
• Assunto(s): Filmes finos Óxidos semicondutores Propriedades elétricas Propriedades estruturais
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Crescimento por sputtering | Filmes finos | óxidos semicondutores | propriedades elétricas | Propriedades estruturais | Óxidos semicondutores

Resumo

Neste projeto serão investigadas as propriedades estruturais e elétricas de filmes finos de ZnO crescidos por sputtering. No decorrer do projeto o estudante deverá adquirir conhecimento sobre óxidos semicondutores, a técnica de crescimento por sputtering, a caracterização de filmes finos por espectroscopia de raios X e por medidas de resistividade e efeito Hall. Serão produzidos filmes de ZnO utilizando-se alvos de ZnO com o intuito de otimizar o crescimento e determinar as melhores propriedades estruturais e elétricas. Uma vez otimizada a produção desses filmes, essas condições serão utilizadas para o crescimento de filmes de ZnO dopados com 1ons magnéticos.