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Síntese e caracterização de filmes finos com estrutura de camadas de bismuto

Processo: 04/10385-8
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
Vigência (Início): 01 de novembro de 2004
Vigência (Término): 31 de outubro de 2005
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Materiais Não-metálicos
Pesquisador responsável:José Antonio Eiras
Beneficiário:Fernando Martins de Mello
Instituição-sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:00/09722-9 - Materiais ferroelétricos: fenomenologia, propriedades e caracterização, AP.TEM
Assunto(s):Cerâmica (materiais cerâmicos)   Materiais ferroelétricos   Filmes finos   Deposição de filmes finos   Titanato de bismuto

Resumo

O estudo de filmes finos, ou de materiais ferroelétricos em geral, tem apresentado crescente interesse para a fabricação de sensores e atuadores. O Grupo de Cerâmicas Ferroelétricas (GCF) desenvolve trabalhos na nesses materiais desde 1987, tanto na preparação e caracterização de corpos cerâmicos como em filmes finos. Este plano de trabalho tem os seguintes objetivos específicos: a) utilizar um método químico, desenvolvido no grupo, para preparação de soluções para deposição de filmes finos de titanato de bismuto (BIT), por centrifugação ("spin coating"); b) adequar o método para obter filmes de BIT (estrutura de camadas de bismuto) "puros" ou dopados (com La,Nd, Er ou Vb); c) estudar propriedades dielétricas e ferroelétricas dos filmes, em especial, em função do grau de epitaxia que possa ser obtido (estas caracterizações deverão ser feitas por outros membros do grupo) e d) estudar propriedades espectroscópicas dos filmes dopados com Nd, Er ou Yb com vistas à sua utilização como meio ativo para emissão laser (estas caracterizações deverão ser feitas por outro membro do grupo, a Dra. Andréa S. de Camargo, que desenvolve trabalho de Pós-Doutorado com apoio da FAPESP). (AU)