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Síntese e caracterização de filmes finos com estrutura de camadas de bismuto

Processo: 01/04453-2
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
Vigência (Início): 01 de julho de 2001
Vigência (Término): 30 de junho de 2002
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Materiais Não-metálicos
Pesquisador responsável:José Antonio Eiras
Beneficiário:Marina Storani de Almeida
Instituição-sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
Assunto(s):Filmes finos   Materiais ferroelétricos   Cerâmica (materiais cerâmicos)   Deposição de filmes finos   Titanato de bismuto

Resumo

A proposta de trabalho envolve a síntese, deposição e caracterização de filmes finos ferroelétricos de titanato de bismuto (BIT) "puros" e dopados. A síntese da solução para deposição será realizada por meio de um método químico alternativo, que utiliza óxidos ou carbonatos como precursores, desenvolvido no Grupo de Cerâmicas Ferroelétricas com essa finalidade. Através da adição de dopantes pretende-se diminuir o crescimento dos grãos e o campo coercitivo, de forma a facilitar a densificação e o processo de polarização nesses materiais. Este plano de trabalho tem os seguintes objetivos específicos: a) Utilizar um método químico, desenvolvido no grupo, para preparação de soluções para deposição de filmes finos de titanato de bismuto (BIT), por centrifugação ("spin coating"); b) Adequar o método para obter filmes de BIT (estrutura de camadas de bismuto) "puros" ou dopados (com La ou Nd) e c) estudar propriedades dielétricas e ferroelétricas dos filmes, em especial, em função do grau de polarização que possa ser obtido (estas caracterizações deverão ser feitas por outros membros do grupo). (AU)