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Estudo e caracterização elétrica de transistores SOI nmosfet para aplicações espaciais

Processo: 07/01576-2
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
Vigência (Início): 01 de junho de 2007
Vigência (Término): 31 de maio de 2009
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas, Instrumentação
Pesquisador responsável:Wilhelmus Adrianus Maria van Noije
Beneficiário:Márcio Dalla Valle Martino
Instituição-sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Assunto(s):Microeletrônica   Técnicas de caracterização elétrica   Circuitos integrados

Resumo

A tecnologia SOI tem demonstrado grande potencial para ser utilizada na fabricação de circuitos integrados em escala de integração muito ampla (ULSI). Nesta tecnologia, os dispositivos são implementados em lâminas de silício sobre isolante (Silicon On Insulator - SOI). Além disto esta tecnologia já tem sido usada com sucesso em aplicações específicas que requerem alta resistência à radiação e baixa sensibilidade com a variação de temperatura.Neste trabalho deseja-se estudar teórica e experimentalmente o comportamento elétrico em temperatura ambiente de transistores SOI nMOSFETs parcialmente depletados (PD) dando ênfase especialmente as características de alta resistência à radiação para aplicações espaciais. Estes dispositivos foram fabricados no IMEC (Interuniversity Microelectronics Center) da Universidade Católica de Leuven (KUL) localizada na Bélgica, em parceria com a ESA (European Space Agency). Através das curvas características experimentais destes dispositivos (submetidos ou não à radiação) deseja-se obter os principais parâmetros elétricos que servirão para alimentar o simulador de circuitos SPICE. Uma vez ajustadas as simulações será possível, o estudo de circuitos básicos tais como o inversor e a porta de transmissão em função da radiação.