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Preparação e caracterização óptica de filmes de a-ga-xasx para diferentes proporções de as

Processo: 02/02696-8
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
Vigência (Início): 01 de julho de 2002
Vigência (Término): 31 de dezembro de 2004
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Jose Humberto Dias da Silva
Beneficiário:Douglas Marcel Gonçalves Leite
Instituição-sede: Faculdade de Ciências (FC). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Bauru. Bauru , SP, Brasil
Assunto(s):Fotoluminescência   Arsenieto de gálio

Resumo

Investigaremos as propriedades ópticas e eletrônicas de filmes amorfos de Arseneto de Gálio (a-Ga1-XAsX), em diferentes composições, preparados por evaporação flash em vácuo. As composições analisadas estarão no intervalo Ga0,55As0,45 (sub-estequiométrico) chegando até a composição Ga0,25As0,75 (supra-estequiométrico). Os filmes estudados serão crescidos pelo método de evaporação flash, usando pó de GaAs e de As em diferentes proporções. Utilizaremos substratos de quartzo e silício cristalino para os estudos das propriedades ópticas nas faixas: ultravioleta, visível e infravermelho. A análise do material será feita através de medidas de transmitância e refletância a partir das quais serão determinadas as bordas de absorção de cada composição. Também serão feitas medidas de fotoluminescência nas principais amostras para caracterizar estados de defeitos no gap. Através da análise das bordas de absorção e da emissão de fotoluminescência, iremos estudar a influência do conteúdo de arsênio no material. Esta influência está relacionada aos estados eletrônicos nas proximidades das bandas de valência e de condução das ligas a-Ga1-XAsX. Estas ligas não apresentam análogo cristalino, e seu estudo contribuirá para o melhor entendimento das propriedades físicas e da estrutura eletrônica de ligas amorfas semicondutores. (AU)