Caracterização estrutural de filmes nanocristalinos de GaAs e GaN preparados por R.F magnetron spputering

• Processo: 04/09989-6
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de novembro de 2004
• Data de Término da vigência: 31 de outubro de 2006
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Jose Humberto Dias da Silva
• Beneficiário: Luís Fernando da Silva
• Instituição Sede: Faculdade de Ciências (FC). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Bauru. Bauru , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 97/06278-6 - Otimização dos processos de preparação de semicondutores amorfos do tipo III-V, AP.JP
• Assunto(s): Nitreto de gálio Arsenieto de gálio Materiais nanocristalinos Difração por raios X Caracterização estrutural
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Arseneto De Galio | Difracao De Raios-X | Filmes Semicondutores | Nitreto De Galio | Policristalinos | Sputtering R.F

Resumo

Investigaremos a influência dos parâmetros de deposição sobre a estrutura de filmes de GaAs e GaN preparados pela técnica de RF magnetron sputtering. As caracterizações estruturais, tais como tamanho e orientação preferencial dos nanocristais existentes nos filmes serão realizadas pelas técnicas de difração de raios-X e micro-Raman. Os principais parâmetros a serem considerados nas deposições serão a potência RF, o fluxo e a pressão parcial dos gases na câmara, e a temperatura dos substratos. A influência do tipo de substrato utilizado também será analisada. Experimentos preliminares de difração de raios-X mostram que a hidrogenação, a potência RF e a pressão total na câmara exercem forte influência sobre a fração cristalizada e sobre o tamanho médio dos nanocristais (~3 a 10 nm) em filmes de GaAs (:H). Os picos de espalhamento Raman são fortemente dependentes do tipo de substrato utilizado (sílica fundida, Si(100) ou Si(111)). O objetivo do trabalho será correlacionar os parâmetros de deposição com as propriedades estruturais dos filmes, para entender a influência dos parâmetros de deposição sobre o crescimento e otimizar as propriedades dos filmes produzidos tendo em vista a possibilidade de dopagem dos mesmos com impurezas magnéticas (Mn). (AU)