Busca avançada
Ano de início
Entree

Microscopia eletrônica de transmissão quantitativa (QHRTEM): desenvolvimentos e aplicação no estudo de um material semicondutor nanoestruturado

Processo: 07/05165-7
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
Vigência (Início): 01 de julho de 2008
Vigência (Término): 30 de junho de 2010
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Antonio José Ramirez Londono
Beneficiário:Luciano Andrey Montoro
Instituição-sede: Laboratório Nacional de Luz Síncrotron (LNLS). Centro Nacional de Pesquisa em Energia e Materiais (CNPEM). Ministério da Ciência, Tecnologia, Inovações e Comunicações (Brasil). Campinas , SP, Brasil
Assunto(s):Nanotecnologia   Microscopia eletrônica   Imagem digital

Resumo

Este trabalho envolve o desenvolvimento e aplicação de metodologias de análise quantitativa a partir de imagens de microscopia eletrônica de transmissão com alta resolução. A partir destas metodologias espera-se obter, principalmente, mapas dos tensores de deformação e mapeamento da composição química em escala atômica. Este estudo envolve inicialmente o desenvolvimento, implementação e uso de técnicas avançadas de reconstrução das imagens por série focal para obtenção de imagens livres de aberrações; permitindo assim uma grande melhora na qualidade e resolução pontual, e um conseqüente aumento na precisão dos resultados quantitativas. As análises quantitativas envolvem a implementação da técnica de análise de fase geométrica (GPA), que permite obter os tensores de deformação (strain tensors - Exx, Eyy) e as distâncias entre colunas atômicas adjacentes, permitindo assim determinar os parâmetros de rede local (a// e a^). A partir destes parâmetros e aplicando-se a lei de Vegard, pretende-se determinar a composição química em escala atômica destas nanoestruturas, obtendo-se mapas 2D e 3D de composição química. O desenvolvimento e implementação destas metodologias serão realizados utilizando-se amostras de um semicondutor nanoestruturado formado por ilhas de Si1-xGex depositadas sobre Si(001). A escolha deste material foi feita baseada nas suas características, que se adequam perfeitamente às exigências da metodologia proposta, e a sua importância tecnológica, como aplicações e por ser um material modelo no estudo de semicondutores. A implementação destas metodologias é um avanço importante, uma vez que deve permitir um ganho significativo no desempenho dos microscópios existentes no LME/LNLS e tornar viável aos usuários desta infra-estrutura o desenvolvimento de trabalhos de pesquisa que necessitem de menores resoluções espaciais (~ 1Å). É importante ressaltar que estas são propostas de estudo bastante audaciosas, utilizando algumas abordagens inéditas e que poderão fornecer resultados de grande impacto e importância à área de microscopia eletrônica e de semicondutores nanoestruturados. (AU)

Publicações científicas
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
MONTORO, LUCIANO A.; MEDEIROS-RIBEIRO, GILBERTO; RAMIREZ, ANTONIO J. Novel Approach for High-Resolution Elastic Behavior Assessment of Alloyed Strained Nanostructures. Journal of Physical Chemistry C, v. 114, n. 29, p. 12409-12415, JUL 29 2010. Citações Web of Science: 3.
MONTORO, LUCIANO A.; LEITE, MARINA S.; BIGGEMANN, DANIEL; PETERNELLA, FELLIPE G.; BATENBURG, K. JOOST; MEDEIROS-RIBEIRO, GILBERTO; RAMIREZ, ANTONIO J. Revealing Quantitative 3D Chemical Arrangement on Ge-Si Nanostructures. Journal of Physical Chemistry C, v. 113, n. 21, p. 9018-9022, MAY 28 2009. Citações Web of Science: 15.
FIORENTINI‚ GA; LEITE‚ M.S.; PIMENTEL‚ VL; MONTORO‚ LA; RAMIREZ‚ AJ; MEDEIROS-RIBEIRO‚ G. Reactive epitaxy of metallic hafnium silicide nanocrystals. Applied Physics Letters, v. 93, p. 013107, 2008.

Por favor, reporte erros na lista de publicações científicas escrevendo para: cdi@fapesp.br.