Nanoestruturas Magnéticas de Telureto de Európio

• Processo: 08/04329-9
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de novembro de 2008
• Data de Término da vigência: 31 de maio de 2010
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Eduardo Abramof
• Beneficiário: Beatriz Leonila Díaz Moreno
• Instituição Sede: Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE). Ministério da Ciência, Tecnologia e Inovação (Brasil). São José dos Campos , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 07/50968-0 - Pesquisa em novos materiais envolvendo campos magnéticos intensos e baixas temperaturas, AP.TEM
• Assunto(s): Microscopia de força atômica Materiais nanoestruturados Difração por raios X Semicondutores magnéticos Epitaxia por feixe molecular
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Difração de Raios X | Epitaxia de feixe molecular | microscopia de força atomica | nanoestruturas | Propriedades magnéticas e ópticas | Telureto de európio | Semicondutores magnéticos

Resumo

Os materiais magnéticos nanoestruturados são foco de grande atenção pela ampla gama de novas propriedades e pelo potencial de aplicação na optoeletrônica e em dispositivos baseados no transporte do spin do elétron, spintrônica. O EuTe é um semicondutor magnético clássico para o modelo de Heisenberg, devido aos fortes momentos magnéticos muito bem localizados. Por isso, ele é um material candidato para dispositivos de spin protótipos, e combinado com materiais semicondutores IV-VI encontra aplicações na construção de lasers e detectores para a faixa do infravermelho. Interessantes fenômenos magnéticos têm sido observados recentemente em estruturas baseadas no EuTe. O presente projeto visa estudar a influência da diminuição das dimensões nas propriedades magnéticas do EuTe. O estudo incluirá nanoestruturas bidimensionais de multicamadas de EuTe e semicondutores IV-VI, e sistemas zero-dimensionais contendo pontos quânticos de EuTe embebidos em semicondutores IV-VI ou crescidos diretamente sobre BaF2. As amostras serão crescidas por epitaxia de feixe molecular, no sistema MBE instalado no LAS/INPE, e caracterizadas estruturalmente por microscopia de força atômica e técnicas de raios X. A caracterização por magnetometria SQuID será feita nos laboratórios do Instituto de Física da Universidade de São Paulo (IFUSP) em colaboração com o Prof. Valmir Chitta, enquanto medidas de difração magnética de raios X ressonante serão realizadas na linha XRD2 do Laboratório Nacional de Luz Síncrotron. As propriedades óticas serão estudadas por medidas de absorção, luminescência e rotação de Faraday, em cooperação com o Prof. André B. Henriques do IFUSP. O presente projeto de pós-doutorado está inserido no âmbito do projeto temático FAPESP Proc. No 2007/50968-0 intitulado "Pesquisas em novos materiais envolvendo campos magnéticos intensos e baixas temperaturas", sob coordenação do Prof. Nei F. de Oliveira Jr. do IFUSP.

Publicações científicas

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

DIAZ, B.; MALACHIAS, A.; RAPPL, P. H. O.; ABRAMOF, E.; CHITTA, V. A.; HENRIQUES, A. B.. Growth of EuTe islands on SnTe by molecular beam epitaxy. Journal of Crystal Growth, v. 312, n. 19, p. 2828-2833, SEP 15 2010. (08/04329-9)

DIAZ, B.; MALACHIAS, A.; MONTORO, L. A.; RAPPL, P. H. O.; ABRAMOF, E.. Vertically ordered magnetic EuTe quantum dots stacks on SnTe matrices. Nanotechnology, v. 23, n. 1, p. 015604, 2011. (08/04329-9)

DIAZ, B.; MALACHIAS, A.; MONTORO, L. A.; RAPPL, P. H. O.; ABRAMOF, E.. Vertically ordered magnetic EuTe quantum dots stacks on SnTe matrices. Nanotechnology, v. 23, n. 1, p. 5-pg., 2012-01-13. (08/04329-9)