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Propriedades opto-eletronicas e estruturais de ligas amorfas a base de nitrogenio.

Processo: 00/08167-1
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
Vigência (Início): 01 de outubro de 2000
Vigência (Término): 30 de setembro de 2002
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Fernando Alvarez
Beneficiário:Cristina Tereza Monteiro Ribeiro
Instituição-sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:97/12069-0 - Propriedades estruturais, ópticas e de transporte em semicondutores amorfos, AP.TEM
Assunto(s):Filmes finos   Semicondutores amorfos

Resumo

Estudo das propriedades ópticas, eletrônicas e estruturais das ligas nitrogenadas CNx GaN e SiNx. Dependendo da conveniência e/ou atributos desejados (gap óptico, propriedades mecânicas e/ou elétricas), os compostos serão preparados mediante as técnicas de sputtering, glow discharge e ion beam assisted deposition. Para a investigação estrutural serão empregadas as técnicas de difração de raios X, espectroscopia Raman e FTIR. As propriedades ópticas serão exploradas, essencialmente, segundo medidas de absorção e emissão (fotoluminescência) nas regiões do UV e VIS, e PDS (photothermal deflection spectroscopy). Para a análise da estrutura eletrônica serão empregadas técnicas de espectroscopia de fotoelétrons tais como XPS e UPS. (AU)

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