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Estudo dos estados intermediários localizados entre as bandas de condução e valência, e a influência desses na emissão fotoluminescente do catio3:sm

Processo: 07/50425-7
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
Vigência (Início): 01 de maio de 2007
Vigência (Término): 30 de abril de 2009
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Materiais Não-metálicos
Pesquisador responsável:José Arana Varela
Beneficiário:Alberthmeiry Teixeira de Figueiredo
Instituição-sede: Instituto de Química (IQ). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Araraquara. Araraquara , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:98/14324-0 - Multidisciplinary Center for Development of Ceramic Materials, AP.CEPID
Assunto(s):Fotoluminescência   Ressonância paramagnética eletrônica   Espectroscopia por absorção de raios X

Resumo

O estudo da propriedade fotoluminescente (FL) em materiais sempre despertou o interesse da comunidade científica. Muitos modelos na literatura buscam explicar a emissão FL. No entanto, todos esses modelos interpretam o que ocorre após o processo de excitação. De maneira inovadora, o nosso grupo de pesquisa (LIEC) propõe um modelo baseado nos modelos tradicionais existentes na literatura, no qual o principal evento contribuinte para a emissão FL ocorre antes da excitação. Nesse modelo, o Wide Band Model, os defeitos locais de curto e médio alcance geram estados intermediários localizados dentro do gap. A diminuição do gap devido aos estados intermediários, juntamente com a descontinuidade local de cargas gerada pela desordem local leva ao armadilhamento de elétrons e buracos gerando a emissão de FL. Alguns pontos do modelo ainda não foram evidenciados e necessitam de mais estudos para confirmação. É o caso do armadilhamento de elétrons pelos estados intermediários dentro do gap. Nesse projeto propomos estudar os estados intermediários dentro do gap. Será estudada a contribuição do modificador de rede e do formador de rede para a formação dos estados intermediários dentro do gap. Mais que isso, propomos estudar o armadilhamento de elétrons pelos estados intermediários dentro do gap e a formação de vacâncias de oxigênio mono-ionizadas, as quais armadilharam um elétron. (AU)