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Crescimento de filmes finos ferroelétricos epitaxiais utilizando uma camada semente depositada por processo físico

Processo: 02/11326-0
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
Vigência (Início): 01 de março de 2003
Vigência (Término): 28 de fevereiro de 2005
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Materiais Não-metálicos
Convênio/Acordo: Comitê Francês de Avaliação da Cooperação Universitária com o Brasil - COFECUB
Pesquisador responsável:José Arana Varela
Beneficiário:Emmanuelle Marie Anne Orhan
Instituição-sede: Instituto de Química (IQ). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Araraquara. Araraquara , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:00/01991-0 - Síntese e caracterização de filmes finos e cerâmicas ferroelétricos, AP.TEM
Assunto(s):Filmes finos   Ferroeletricidade

Resumo

Pretende-se neste projeto desenvolver filmes finos ferroelétricos e dielétricos (SrTiO3, BaTiO3, PZT, SBN, SBT, etc.) combinando dois métodos de deposição: ablasão a laser e precursores poliméricos. O objetivo é obter filmes finos epitaxiais de excelente qualidade. Para atingir este objetivo, propõe-se obter uma primeira camada por ablasão a laser (ou eventualmente por pulverização catódica) que deve apresentar uma excelente qualidade de crescimento epitaxial. Esta primeira camada servirá como camada semente para o crescimento de camadas acima desta através de deposição química de uma solução de precursores poliméricos. Um aspecto complementar será o crescimento de eletrodos para as medidas das propriedades ferroelétricas. Estas camadas condutoras, particularmente platina epitaxial ou óxidos condutores, serão depositadas por métodos físicos (laser ablasion). O presente projeto de pesquisa é uma parte de um projeto temático mais abrangente (FAPESP 00/01991-0) que vem sendo desenvolvido nos últimos dois anos pelo LIEC. Também faz parte de um projeto de cooperação internacional CNPq/CNRS entre os pesquisadores do LIEC e do LCSIM da Universidade de Rennes (França). (AU)