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Sintese, caracterizacao e propriedades de transporte eletronico em nanofios semicondutores e metalicos: uma rota para a fabricacao de dispositivos

Processo: 09/53662-5
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
Vigência (Início): 01 de junho de 2010
Vigência (Término): 31 de maio de 2012
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Adenilson José Chiquito
Beneficiário:Olivia Maria Berengue
Instituição-sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
Assunto(s):Transporte eletrônico   Dióxido de estanho   Nanofios

Resumo

O presente projeto objetiva investigar propriedades de transporte em nanofios monocristalinos (estruturas 1D) metálicos e semicondutores para a fabricação de dispositivos eletrônicos como transistores de efeito de campo e sensores neles baseados. Para isso, nanoestruturas de interesse como óxidos dos sistemas Sn02, In203, dopados e não dopados e nanofios de fases intermediárias, bem como dos semicondutores Ge e Ge02 deverão ser sintetizados por técnicas químicas como a redução carbotérmica (método vapor-líquido-sólido). Visando aperfeiçoar os processos de crescimento empregados, pretende-se estudar algumas características estruturais dos referidos materiais como sua fase cristalina, qualidade, caráter monocristalino e morfologia e dispositivos baseados em um único nanofio serão fabricados. Experimentos de transporte eletrônico deverão ser conduzidos permitindo a caracterização dos mecanismos de condução e os processos de espalhamento de portadores nestes sistemas, a influência da desordem estrutural nos processos de transporte de ser estudada, tendo como objetivo a busca de subsídios para o entendimento dos processos físicos envolvidos e para o aperfeiçoamento da produção/aplicação de nanofios como elementos formadores (building blocks) de dispositivos nanoeletrônicos e nano-opto-eletrônicos. (AU)