Desenvolvimento de dispositivos optoeletronicos para circuitos integrados monoliticos.

• Processo: 00/00318-0
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de maio de 2000
• Data de Término da vigência: 15 de outubro de 2000
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Circuitos Elétricos, Magnéticos e Eletrônicos
• Pesquisador responsável: Jacobus Willibrordus Swart
• Beneficiário: Luiz Eugenio Monteiro de Barros Junior
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 98/14560-6 - Plataforma de integração óptoeletrônica embasada em crescimento epitaxial seletivo e não seletivo por epitaxia de feixes químicos (CBE), AP.TEM
• Assunto(s): Circuitos integrados Óptica eletrônica Detetores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Circuitos Integrados | Detetores | Fet | Hbt | Msm | Optoeletronica

Resumo

Este projeto destina-se ao desenvolvimento dos componentes básicos a serem integrados em circuitos optoeletrônicos monolíticos. Por desenvolvimento entende-se desde o crescimento das camadas semicondutoras constituintes, o processamento deste material até os teste e caracterização final do dispositivo óptico e/ou eletrônico. Neste sentido prevê-se duas frentes de trabalho : a) desenvolvimento de dispositivos para integração em tecnologia FET, onde estão previstos dispositivos como detectores MSM e o novo HMSM (c/ heteroestrutura) que poderão ser integrados com MESFETs e HEMTs (também a serem desenvolvidos e b) desenvolvimento de dispositivos para integração em tecnologia HBT (transistor bipolar de heterojunção), onde estão previstos o HBT-óptico (transistor de microondas multifunção, detetor e amplificador) e detectores PIN em camadas de HBT ambos compatíveis com HBTs. Os HBT já são e devem continuar como objeto de pesquisa do LPD que desenvolve transistores de última geração em compostos InGaP/GaAs que necessitam otimização para operação acima de 10 GHz. Finalmente, deve-se investigar, através da tecnologia de crescimento seletivo a proposta de confecção de um HBT com confinamento vertical e lateral cujo potencial desempenho deve ultrapassar em muito seu similar convencional. (AU)