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Spintrônica: estudos sobre estruturas híbridas e tunelamento eletrônico polarizado em spin

Processo: 04/08524-0
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
Vigência (Início): 01 de fevereiro de 2005
Vigência (Término): 01 de abril de 2008
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Adilson Jesus Aparecido de Oliveira
Beneficiário:José Varalda
Instituição-sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:03/09933-8 - Núcleo de Excelência em Materiais Nanoestruturados Fabricados Eletroquimicamente, AP.PRNX.TEM
Assunto(s):Spintrônica

Resumo

Dentre os parâmetros necessários para o desenvolvimento da nova spintrônica está o controle eficiente da injeção de portadores polarizados. É altamente desejável que se possa realizar tal feito através de barreiras semicondutoras evitando problemas com as baixíssimas espessuras exigidas por barreiras oxidas isolantes que possuem valores elevados do produto resistência-área. A via do futuro neste ramo da ciência passa sem dúvida pela associação de heteroestruturas constituídas por materiais metálicos e semicondutores combinando a eletrônica tradicional e a eletrônica de spin. Neste contexto, o projeto propõe o estudo de injeção de correntes polarizadas em spin em estruturas do tipo: i) junções planares utilizando eletrodos ferromagnéticos metálicos separados por uma barreira semicondutora e; ii) materiais granulares imersos em matriz semicondutora. Possuímos experiência em tais sistemas adquirida no durante da realização do projeto de doutorado processo FAPESP 00/07249-4. Em vista dos resultados obtidos no referido projeto, propomos modificações em estruturas conhecidas em busca do aumento da eficiência da injeção eletrônica polarizada em spin. Propomos também uma nova configuração de materiais na linha dos sistemas granulares utilizando um semicondutor óxido que possui constante dielétrica alta. (AU)

Publicações científicas
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
FERNANDES‚ V.; KLEIN‚ JJ; MATTOSO‚ N.; MOSCA‚ DH; SILVEIRA‚ E.; RIBEIRO‚ E.; SCHREINER‚ WH; VARALDA‚ J.; DE OLIVEIRA‚ AJA. Room temperature ferromagnetism in Co-doped CeO_ {2} films on Si (001). Physical Review B, v. 75, n. 12, p. 121304, 2007.

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