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Desenvolvimento de diodos schottky baseados em filmes semicondutores amorfos e cristalizados de carbeto de silico obtido por pecvd.

Processo: 06/58554-8
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
Vigência (Início): 01 de janeiro de 2007
Vigência (Término): 31 de dezembro de 2009
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
Pesquisador responsável:Marcelo Nelson Páez Carreño
Beneficiário:Alessandro Ricardo de Oliveira
Instituição-sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:00/10027-3 - Produção, caracterização e aplicações de ligas semicondutoras e isolantes, AP.TEM
Assunto(s):Deposição química em fase de vapor assistida por plasma (PECVD)   Semicondutores   Dopagem eletrônica

Resumo

Este projeto de pesquisa tem por objetivo realizar estudos na área de obtenção, desenvolvimento e fabricação de diodos Schottky baseados em filmes amorfos e cristalizados de carbeto de silício depositados pela técnica de deposição química a vapor assistida por plasma (PECVD) a baixas temperaturas (~300 °C). Nesse sentido, a proposta do projeto envolve o desenvolvimento de contatos elétricos ôhmicos e retificastes para o uso em dispositivos eletrônicos baseados em SiC PECVD. As principais etapas do trabalho serão determinar o tipo de substrato e os metais de contato. Assim, primeiramente estudaremos as propriedades elétricas da junção metal-SiC, utilizando diferentes metais e diversas condições de processo. Com tais procedimentos aprimorados, fabricaremos diodos Schottky, dos quais extrairemos os parâmetros elétricos e analisaremos o comportamento estático e dinâmico. Para a deposição dos filmes metálicos utilizaremos o novo sistema multicâmara de deposição por Sputtering, que foi adquirido recentemente através do projeto Temático No. 00/10027-3 ao qual este projeto está vinculado. (AU)

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