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Estudo de filmes finos dos sistema "ba(1-x)sr xtio3"

Processo: 00/14841-7
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
Vigência (Início): 01 de abril de 2001
Vigência (Término): 14 de outubro de 2001
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Materiais Não-metálicos
Pesquisador responsável:Elson Longo da Silva
Beneficiário:Ana Paula Fonseca Albers
Instituição-sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:98/14324-0 - Multidisciplinary Center for Development of Ceramic Materials, AP.CEPID
Assunto(s):Propriedades elétricas   Filmes finos

Resumo

Os compostos à base de titanato de estrôncio e bário (BST) vêm destacando-se para a produção em massa de memórias DRAM ("dynamic random acess memory") e desde então há uma incessante busca para reduzir custos, aumentar os níveis de integração e melhorar a qualidade do produto, resultando em uma nova geração de memórias DRAM a cada três anos. Os principais candidatos para memórias DRAM (paraelétricos na temperatura de trabalho) são os compostos com estrutura tipo perovisquita, entre eles o (Ba,Sr)TiO3. Neste trabalho propõe-se estudar o processo de cristalização de filmes finos de BST, obtidos pelo método de precursores poliméricos. Também investigar-se-á a influência do teor de Sr (0<x>1) e a utilização de dopantes (Mn, Y e La) no processo de cristalização da fase. Além disso, pretende-se relacionar a influência da cristalização nas propriedades elétricas desses filmes e otimizá-las, buscando aumentar a constante dielétrica e reduzir a corrente de fuga. Os filmes de BST amorfos também serão objetos de estudo, neste caso, serão investigadas suas propriedades elétricas e caracterizados microestruturalmente. (AU)