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Filmes finos ferroelétricos de camadas de bismuto para aplicação em DRAMs e FeRAMs a partir do método dos precursores poliméricos

Processo: 03/00899-1
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
Vigência (Início): 01 de agosto de 2003
Vigência (Término): 30 de junho de 2006
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Química - Físico-química
Pesquisador responsável:Elson Longo da Silva
Beneficiário:Alexandre Zirpoli Simões
Instituição-sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:98/14324-0 - Multidisciplinary Center for Development of Ceramic Materials, AP.CEPID
Assunto(s):Materiais ferroelétricos   Dielétricos   Filmes finos

Resumo

O desenvolvimento de circuitos integrados, que consumam menos energia, tem atraído grande interesse em indústrias eletrônicas, automobilísticas e aeroespaciais. A maioria destes circuitos integrados utilizam memórias ferroelétricas de acesso aleatório (FeRAMS) e memória dinâmica de acesso aleatório (DRAMs). Estes dispositivos são empregados em telefones celulares, "notebooks" e cartões inteligentes, devido as suas excelentes propriedades como não volatilidade, rápida leitura e gravação de dados, baixa voltagem de operação e a menor energia despendida no processo operacional. Desta forma, a preparação de materiais que acelerem o processo de leitura e gravação dos dados, vem se mostrando promissora para diminuir o consumo de energia quando comparado ao dispositivo EEPROM que é uma memória exclusiva de leitura, programável e apagável eletricamente que requer dois transistores para armazenamento dos bits. Entre os inúmeros materiais ferroelétricos, o Bi4Ti3O12 que possui estrutura ortorrômbica do tipo perovskita, tem potencialidade para estas aplicações. Portanto, propõe-se estudar a formação de filmes finos ferroelétricos de Bi4Ti3O12 puro e dopados com La em baixas temperaturas, com fase cristalina orientada tendo como precursora solução orgânica de citratos, conhecida como "método dos precursores poliméricos". (AU)