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Efeitos de dopagem de érbio em silício amorfo hidrogenado

Processo: 98/13893-1
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
Vigência (Início): 01 de fevereiro de 1999
Vigência (Término): 31 de dezembro de 1999
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Leandro Russovski Tessler
Beneficiário:Erika Santos Horta
Instituição-sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
Assunto(s):Dopagem eletrônica   Silício   Érbio   Semicondutores amorfos   Terras raras   Estrutura eletrônica

Resumo

Estudaremos a atividade eletrônica de Er em silício amorfo hidrogenado (a-Si:H), ou seja, se este elemento apresenta efeitos de dopagem no sentido de controlar a densidade de portadores no material. Para isso serão realizadas medidas de condutividade, em função da temperatura, em um conjunto de amostras de a-Si:H com diferentes conteúdos de Er. A partir disso serão obtidos parâmetros como condutividade à temperatura ambiente e energia de ativação em função da concentração de Er e O (que pode ter um papel fundamental na determinação das propriedades eletrônicas do Er). As amostras foram preparadas por co-sputerring a partir de um alvo composto de Si e Er. Desenvolveremos um software apropriado para o controle das medidas por computador. Esperamos com este trabalho contribuir para a compreensão da estrutura eletrônica de íons das terras raras em a-Si:H. (AU)