Efeitos de dopagem de érbio em silício amorfo hidrogenado

• Processo: 98/13893-1
• Linha de fomento: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Vigência (Início): 01 de fevereiro de 1999
• Vigência (Término): 31 de dezembro de 1999
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Leandro Russovski Tessler
• Beneficiário: Erika Santos Horta
• Instituição-sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Dopagem eletrônica Silício Érbio Semicondutores amorfos Terras raras Estrutura eletrônica

Resumo

Estudaremos a atividade eletrônica de Er em silício amorfo hidrogenado (a-Si:H), ou seja, se este elemento apresenta efeitos de dopagem no sentido de controlar a densidade de portadores no material. Para isso serão realizadas medidas de condutividade, em função da temperatura, em um conjunto de amostras de a-Si:H com diferentes conteúdos de Er. A partir disso serão obtidos parâmetros como condutividade à temperatura ambiente e energia de ativação em função da concentração de Er e O (que pode ter um papel fundamental na determinação das propriedades eletrônicas do Er). As amostras foram preparadas por co-sputerring a partir de um alvo composto de Si e Er. Desenvolveremos um software apropriado para o controle das medidas por computador. Esperamos com este trabalho contribuir para a compreensão da estrutura eletrônica de íons das terras raras em a-Si:H. (AU)