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Desenvolvimento de novos materiais a base de nitrogenio para aplicacoes eletronicas.

Processo: 02/07979-8
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
Vigência (Início): 01 de outubro de 2002
Vigência (Término): 30 de setembro de 2004
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Máximo Siu Li
Beneficiário:Cristina Tereza Monteiro Ribeiro
Instituição-sede: Instituto de Física de São Carlos (IFSC). Universidade de São Paulo (USP). São Carlos , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:98/14270-8 - Centro de Ciências Ópticas e Fotônica, AP.CEPID
Assunto(s):Espectroscopia eletrônica   Espectroscopia óptica   Filmes finos

Resumo

O objetivo deste projeto de pesquisa é o estudo de ligas semicondutoras à base de nitrogênio que apresentem emissão radiativa. Esta emissão radiativa pode ser decorrente de emissão intrínseca do composto ou através da dopagem com íons terras raras ou metais de transição. As ligas semicondutoras estudadas serão à base de Al, Ga, In, Si, etc., com estruturas amorfas ou cristalinas. Tais compostos apresentam grande apelo tecnológico, sendo utilizados em dispositivos emissores de luz em diferentes regiões do espectro eletromagnético e, especialmente na região do azul e ultravioleta. Os nitretos semicondutores de interesse serão estudados na forma de filmes finos depositados por rf-sputtering. As condições de deposição, e os tratamentos a que serão submetidos os compostos após sua deposição, serão estudados detalhadamente. Um controle acurado das propriedades dos compostos a serem estudados Será feito através da utilização de diferentes técnicas de caracterização, tais como: espectroscopia óptica (transmissão nas regiões do ultravioleta, visível e infravermelho, espalhamento Raman, foto-luminescência, etc.), microscopia eletrônica; ressonância magnética, Rutherford backscattering spectrometry (RBS), difração de raios-x (XRD), etc. Baseado nos resultados obtidos haverá uma realimentação nas condições de preparação das amostras. (AU)

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