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Nanoestruturas autoformadas de inas/inp.

Processo: 01/09086-8
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
Vigência (Início): 01 de novembro de 2001
Vigência (Término): 31 de agosto de 2003
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Mônica Alonso Cotta
Beneficiário:Humberto Rodriguez Gutierrez
Instituição-sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
Assunto(s):Pontos quânticos   Materiais nanoestruturados   Fios quânticos

Resumo

Neste projeto, pretendemos caracterizar sob vários aspectos nanoestruturas de InAs/InP crescidas por epitaxia de feixe químico. Em particular, pretendemos investigar detalhadamente a transição de forma, de fios (1D) para pontos (OD) quânticos de InAs/InP, observada recentemente em nosso laboratório. As amostras serão caracterizadas do ponto de vista estrutural, ótico e elétrico com a intenção de esclarecer aspectos relacionados com a estrutura eletrônica e propriedades de transporte destes sistemas. Serão utilizadas diversas técnicas de caracterização, que permitirão realizar medidas estruturais, elétricas e óticas tanto num conjunto (ensemble) de nanoestruturas (técnicas macroscópicas) quanto em poucas delas (técnicas microscópicas). As técnicas macroscópicas a serem utilizadas são: Difração rasante de elétrons de alta energia (análise estrutural in situ durante o crescimento das amostras), Fotoluminescência (caracterização ótica), Espectroscopia de Capacitância (caracterização elétrica). As técnicas macroscópicas são: Microscopia de Força Atômica (análise estrutural), Microscopia de Força Eletrostática (caracterização elétrica), Microscopia de Tunelamento (caracterização estrutural e elétrica), Microscopia Eletrônica de Transmissão de Alta Resolução (estrutural). (AU)