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Estudo das capacitâncias em transistores de múltiplas portas

Processo: 10/06884-0
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
Vigência (Início): 01 de maio de 2010
Vigência (Término): 28 de fevereiro de 2011
Área do conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica
Pesquisador responsável:João Antonio Martino
Beneficiário:Victor de Bodt Sivieri
Instituição-sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:08/05792-4 - Projeto, fabricação e caracterização de transistores FinFETs, AP.TEM
Assunto(s):Microeletrônica   Transistores MOSFET

Resumo

Dispositivos de portas múltiplas vêm sendo uma grande promessa como uma alternativa na supressão dos efeitos decorrentes da escalabilidade dos dispositivos. Estes dispositivos fabricados em geometrias não planares, vem apresentando várias vantagens em relação aos dispositivos planares, tais como uma maior densidade de integração, um menor efeito de canal e um melhor controle da correnteNeste projeto de Iniciação Científica será estudado o comportamento das capacitâncias presentes nas estruturas SOI de Múltiplas Portas que serão fabricados durante o Projeto Temático "Projeto, Fabricação e Caracterização de Transistores FinFETs". Este estudo se dará por meio de caracterização elétrica e simulação destes dispositivos, com o intuito de se entender melhor seu comportamento.